ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การวัดคุณสมบัติการตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน ช่วงเวลาการตอบสนองและฮิสเตอร์รีซิสของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET เปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การวัดคุณสมบัติการตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน ช่วงเวลาการตอบสนองและฮิสเตอร์รีซิสของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET เปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว
นักวิจัย : วิน บรรจงปรุ , ธนะสาร จันทร์ลอย , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิใย , Win Bunjongpru , Thanasan Chanloi , Wutthinan Jeamsaksiri , Opas Trithaveesak , Charndet Hruanun , Amporn Poyai
คำค้น : CMOS , CMOS and BiCMOS data conversion circuits , Electrical and electronic engineering , Engineering and technology , Hysteresis , Si3N4 gate pH-ISFET , ซีมอส , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย , หัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/20425
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

ศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ (TMEC) ประสบความสำเร็จในการผลิตหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistors) รุ่นที่ 1. โดยใช้พื้นฐานความรู้จากการผลิต 0.8 μm CMOS มาประยุกต์ใช้งาน ทุกขั้นตอนในการผลิตหัววัด คือ เริ่มตั้งแต่การออกแบบโครงสร้างของอุปกรณ์ การสร้างกระจกต้นแบบสำหรับการผลิต กระบวนการผลิต และการวัดคุณสมบัติเฉพาะ สามารถทำได้อย่างครบวงจรที่ TMEC หัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET มีหลักการทำงานที่แตกต่างจากหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว สามารถอธิบายหลักการทำงานอย่างง่ายได้ดังนี้ ISFET ที่ผลิตได้เป็นอุปกรณ์มอสเฟทชนิดเอ็นแชนแนลที่ไม่มี Metal gate เมื่อนำอุปกรณ์แช่ในสารละลาย เฉพาะบริเวณเกตอินซูเลเตอร์จะสัมผัสกับสารละลาย ศักย์ไฟฟ้าบริเวณรอยต่อระหว่างชั้นอินซูเลเตอร์กับสารละลายเกิดการเปลี่ยนแปลงขึ้นอยู่กับความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจนในสารละลายแต่ละชนิดบทความนี้กล่าวถึงคุณสมบัติเฉพาะของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET ที่ TMEC ผลิตขึ้นเปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้วที่ผลิตจำหน่ายเชิงพาณิชย์ รุ่น Model 51910 platinum series pH electrode ของบริษัท HACH ทำการวัดและวิเคราะห์ผลคุณสมบัติเฉพาะของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสทั้งสองชนิด ดังนี้คือ 1) การตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน (Sensitivity) 2) ช่วงเวลาการตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงค่า pH (Response time) 3) ฮิสเตอร์รีซิส (Hysteresis)

Thai Microelectronics Center (TMEC) had successfully fabricated its first generation of pH sensors based on Ion Sensitive Field Effect Transistors (ISFET). The center applied the knowledge from 0.8 μm CMOS fabrication technology to the fabrication of these sensors. Every step in the fabrication of the sensors were done at TMEC, namely the design of device structures, the mask fabrication, the fabrication process development and finally electrical characterization. The pH sensors based on ISFET rely on different principles from sensors based on glass electrode. The fabricated ISFET is an nchannel MOSFET without the metal gate. When the device is immersed in a solution, only the gate oxide contact, the solution. The potential difference at the interface between insulator and solution will vary in relation to the concentration of hydrogen ion, in each type of solutions. This article describes the measured characteristics of ISFET based pH sensor fabricated at TMEC compared with commercial product based on glass electrode model 51910 platinum series pH electrode from HACH. The measurement and analysis will focus on the following characteristics: 1) Sensitivity to Hydrogen ion concentration 2) Response time 3) Hysteresis

บรรณานุกรม :
วิน บรรจงปรุ , ธนะสาร จันทร์ลอย , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิใย , Win Bunjongpru , Thanasan Chanloi , Wutthinan Jeamsaksiri , Opas Trithaveesak , Charndet Hruanun , Amporn Poyai . (2550). การวัดคุณสมบัติการตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน ช่วงเวลาการตอบสนองและฮิสเตอร์รีซิสของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET เปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
วิน บรรจงปรุ , ธนะสาร จันทร์ลอย , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิใย , Win Bunjongpru , Thanasan Chanloi , Wutthinan Jeamsaksiri , Opas Trithaveesak , Charndet Hruanun , Amporn Poyai . 2550. "การวัดคุณสมบัติการตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน ช่วงเวลาการตอบสนองและฮิสเตอร์รีซิสของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET เปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
วิน บรรจงปรุ , ธนะสาร จันทร์ลอย , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิใย , Win Bunjongpru , Thanasan Chanloi , Wutthinan Jeamsaksiri , Opas Trithaveesak , Charndet Hruanun , Amporn Poyai . "การวัดคุณสมบัติการตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน ช่วงเวลาการตอบสนองและฮิสเตอร์รีซิสของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET เปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2550. Print.
วิน บรรจงปรุ , ธนะสาร จันทร์ลอย , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิใย , Win Bunjongpru , Thanasan Chanloi , Wutthinan Jeamsaksiri , Opas Trithaveesak , Charndet Hruanun , Amporn Poyai . การวัดคุณสมบัติการตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน ช่วงเวลาการตอบสนองและฮิสเตอร์รีซิสของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET เปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2550.