ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

The Subthreshold Leakage Current of 0.8 micron CMOS Technology

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : The Subthreshold Leakage Current of 0.8 micron CMOS Technology
นักวิจัย : Nopphon Phongphanchanthra , Anucha Ruangphanit , Pawadee Meesapawong , Nipapan Kluenngien , Amporn Poyai , Sanchai Hansoongneon , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อนุชา เรืองพานิช , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , อัมพร โพธิ์ใย , สันชัย หาญสูงเนิน
คำค้น : CMOS , CMOS and BiCMOS data conversion circuits , Electrical and electronic engineering , emiconductors , Engineering and technology , ซีมอส , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สารกึ่งตัวนำ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/20422
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

High leakage current of semiconductor device in submicron technology is a significant contributor to power dissipation of CMOS circuits as the technology is scaled down. Consequently, the identification and modeling of different leakage components is very important to estimate and reduce leakage and power consumption. This poster explores the substrate leakage current of CMOS 0.8 micron technology.

บรรณานุกรม :