ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Devices Design, Fabrication and Characterizations of Submicron MOSFET for 0.8 CMOS Technology Development

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Devices Design, Fabrication and Characterizations of Submicron MOSFET for 0.8 CMOS Technology Development
นักวิจัย : Anucha Ruangphanit , Pawadee Meesapawong , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : CMOS and BiCMOS data conversion circuits , Electrical and electronic engineering , Engineering and technology , Integrated circuits , ซีมอส , วงจรรวม , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/20419
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This paper describes the concept, design and characterizations of 0.8 CMOS for technology development at Thai Micro Electronics Center (TMEC). Both NMOS and PMOS have been designed form concept and using the process simulation software TSUPREM-4 and device simulation software MEDICI .Device design emphasis for example threshold voltage, off state leakage current, punchthrough voltage and Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) effect have been seriously investigation to improve the device performance. Furthermore, the sensitivity of following parameters such as Nwell dose and energy, VTA dose and energy, gate oxide thickness and gate length variation have been determined. Extraction of devices have been done on test chip. Based on measurements results, the I-V characteristics and spice model based on level 3 were present./This paper describes the concept, design and characterizations of 0.8 CMOS for technology development at Thai Micro Electronics Center (TMEC). Both NMOS and PMOS have been designed form concept and using the process simulation software TSUPREM-4 and device simulation software MEDICI .Device design emphasis for example threshold voltage, off state leakage current, punchthrough voltage and Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) effect have been seriously investigation to improve the device performance. Furthermore, the sensitivity of following parameters such as Nwell dose and energy, VTA dose and energy, gate oxide thickness and gate length variation have been determined. Extraction of devices have been done on test chip. Based on measurements results, the I-V characteristics and spice model based on level 3 were present.

บรรณานุกรม :
Anucha Ruangphanit , Pawadee Meesapawong , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . (2549). Devices Design, Fabrication and Characterizations of Submicron MOSFET for 0.8 CMOS Technology Development.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Anucha Ruangphanit , Pawadee Meesapawong , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . 2549. "Devices Design, Fabrication and Characterizations of Submicron MOSFET for 0.8 CMOS Technology Development".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Anucha Ruangphanit , Pawadee Meesapawong , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . "Devices Design, Fabrication and Characterizations of Submicron MOSFET for 0.8 CMOS Technology Development."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2549. Print.
Anucha Ruangphanit , Pawadee Meesapawong , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . Devices Design, Fabrication and Characterizations of Submicron MOSFET for 0.8 CMOS Technology Development. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2549.