ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศเพื่อประยุกต์เป็นอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศเพื่อประยุกต์เป็นอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
นักวิจัย : จิติ หนูแก้ว , Jiti Nukaew
คำค้น : High Vacumm Electron-Beam Eveporator , Optoelectronic , Sermiconductor , วิธีระเหยสาร , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สารกึ่งตัวนำ , สุญญากาศ , อิเล็กตรอน
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2543
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/20077
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

งานวิจัยนี้เป็น โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยใช้วิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสูญญากาศความดันต่ำกว่า 10 -6 mbar เพื่อนำไปสู่การประดิษฐ์อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ ระบบระเหยสารประกอบด้วยลำอิเล็กตรอนเป็นแบบ rotating head 4 pocket crucibles ซึ่งสามารถควบคุมอัตราการระเหยสาร และวัดความหนาของฟิลม์บางอัตโนมัติ ในขณะที่มีการควบคุมอุณหภูมิแผ่นรองรับ และอัตราการหมุนอย่างคงที่ สารกึ่งตัวนำที่เตรียมขึ้นในเงื่อนไขต่างๆ โดยวิธีนี้ เป็นสารกลุ่ม II-VI ในตารางธาตุ คือ Se, ZnSe, CdSe ขณะที่สารที่ใช้ทำขั้วไฟฟ้าแบบ Schottky คือ InSnO2 (ITO) CdSnO2(CTO)และ Au สมบัติของโครงสร้างผลึก จะตรวจสอบโดยวิธี X-ray diffraction และ Scanning electron microscopy (SEM) ขณะที่สมบัติทางแสง จะศึกษาโดยวิธี Transmittance spectroscopy (TA), Photoreflectance spectroscopy (PR), Electroreflectance spectroscopy (ER), Absorption current spectroscopy (ACS) ตาลำดับ ผลจากการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญกาศ จะทำการทดลองประดิษฐ์อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ คือ โฟโตดีเทกเตอร์ ที่มีโครงสร้าง Metal-Semiconductor Metal (MSM) และออปติคัล แอนด์ เกต (Optical AND gate) ตามลำดับ

This research is the semiconductor development projcet for optoelectronic devices using high vacuum electron beam evaporator. The evaporation systems include rotation-hed electron beam, four-pocket crucibles, automatic evaporation rate control system, automatic film thickness monitor system, and substrate temperature control system. Various semiconductor samples prepared under different conditions are II-VI group such as Se, ZnSe, and CdSe. materials such as InSnO2 (ITO), CdSnO2(CTO) and Au are used as Schottky contacts. Crystals structure of the sample is analyzed using X-ray diffraction and Xcanning electron microscopy (SEM). Meanwhile, optical properties of the samples are characterized employing following methods, Transmission spectroscopy (TA). Photoreflectance spectroscopy (PR), Electroreflectance spectroscopy (ER), and Absorption current spectroscopy (ACS). Results from this development will be appropriately selected in order to make the optoelectronice devices such as Metal-Semiconductor-Metal (MSM) photodetector and optical AND gate.

บรรณานุกรม :
จิติ หนูแก้ว , Jiti Nukaew . (2543). โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศเพื่อประยุกต์เป็นอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
จิติ หนูแก้ว , Jiti Nukaew . 2543. "โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศเพื่อประยุกต์เป็นอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
จิติ หนูแก้ว , Jiti Nukaew . "โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศเพื่อประยุกต์เป็นอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2543. Print.
จิติ หนูแก้ว , Jiti Nukaew . โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศเพื่อประยุกต์เป็นอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2543.