ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination—Deflection Effect

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination—Deflection Effect
นักวิจัย : Chana Leepattarapongpan , Toempong Phetchakul , Naritchaphan Penpondee , Putapon Pengpad , Ekalak Chaowicharat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , เติมพงษ์ เพ็ชรกูล , นริชพันธ์ เป็นผลดี , พุทธพล เพ็งพัด , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : Carrier deflection , Carrier recombination , magnetotransistor , Semiconductor materials and devices , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2553
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/18799
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This paper presents the three-terminal magnetotransistor based on the carrier recombination-deflection effect. Three-terminal magnetotransistor can detect vertical and lateral magnetic field direction. The structure of magnetotransistor consists of one emitter, one collector and one base contact. The devices can detect magnetic field by relying on the difference between base current and collector current (¿ICB). The result from experiments closely matched the simulated 3-D modeling with base width of 20 ¿m at substrate thickness of 600 ¿m . From the experiment, the magnetotransistor had the highest sensitivity of 10.25%/T when emitter current was at 10 mA. This research on the three-terminal magnetotransistor can achieve magnetic sensors with small size, high performance and wide range of applications.

บรรณานุกรม :