ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Chemical Characterization and Electrical Properties of Indium Oxynitride Grown by Reactive Gas-Timing RF Magnetron Sputtering

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Chemical Characterization and Electrical Properties of Indium Oxynitride Grown by Reactive Gas-Timing RF Magnetron Sputtering
นักวิจัย : Apichart Sungthong , Phaiboon Khomdet , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukaew , อภิชาติ สังข์ทอง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว
คำค้น : Indium Nitride , Indium oxide , Indium Oxynitride , InON , Physical sciences , Reactive Gas-Timing , RF magnetron sputtering , Thin films , ฟิล์มบาง , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย , อาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง , อินเดียมออกซิไนไนรต์ , อินเดียมออกไซด์ , อินเดียมไนไตรด์
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2553
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/18634
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This work investigates changes in the chemical composition of InON thin films, grown by reactive gas-timing rf magnetron sputtering with different O2:N2 timing ratio characterized by Auger Electron Microscope (AES), Raman Spectroscopy which are well correlated with the electrical properties of films. The existence of nitrogen and oxygen in the deposited InON thin films was revealed by AES. Two Raman active optical phonons have been clearly observed and assigned to InN E1(TO) at ~470 cm-1 and E1(LO) at ~570 cm-1 and also shifted with different O2:N2 timing ratio. The carrier mobility of InON thin films was decreased when the ratio of O2:N2 timing is increased.

บรรณานุกรม :
Apichart Sungthong , Phaiboon Khomdet , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukaew , อภิชาติ สังข์ทอง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . (2553). Chemical Characterization and Electrical Properties of Indium Oxynitride Grown by Reactive Gas-Timing RF Magnetron Sputtering.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Apichart Sungthong , Phaiboon Khomdet , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukaew , อภิชาติ สังข์ทอง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . 2553. "Chemical Characterization and Electrical Properties of Indium Oxynitride Grown by Reactive Gas-Timing RF Magnetron Sputtering".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Apichart Sungthong , Phaiboon Khomdet , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukaew , อภิชาติ สังข์ทอง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . "Chemical Characterization and Electrical Properties of Indium Oxynitride Grown by Reactive Gas-Timing RF Magnetron Sputtering."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2553. Print.
Apichart Sungthong , Phaiboon Khomdet , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukaew , อภิชาติ สังข์ทอง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . Chemical Characterization and Electrical Properties of Indium Oxynitride Grown by Reactive Gas-Timing RF Magnetron Sputtering. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2553.