ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Oxygen Control on nanocrystal-AlON Films by Reactive Gas-Timing Technique R.F. Magnetron Sputtering and Annealing Effect

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Oxygen Control on nanocrystal-AlON Films by Reactive Gas-Timing Technique R.F. Magnetron Sputtering and Annealing Effect
นักวิจัย : Win Bunjongpru , Supanit Porntheeraphat , Nimit Somwang , Phaiboon Khomdet , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukeaw , วิน บรรจงปรุ , ศุภนิจ พรธีระภัทร , นิมิต สมหวัง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว
คำค้น : Aluminum Nitride (AlN) , Aluminum oxynitride (AlON) , CMOS and BiCMOS data conversion circuits , Nanocrystal , Optical physics , Optics and opto-electronic physics , Physical sciences , Reactive Gas-Timing , RF magnetron sputtering , rf sputtering , Thin films , ฟิล์มบาง , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย , อลูมินัมออกซิไนไตรด์ , อลูมินัมไนไตรด์ , อาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/17980
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The AlON films grown on Si(100) substrates by using radio frequency (r.f.) magnetron sputtering from high purity aluminum (99.999% Al) target with a novel reactive gas-timing technique. The 100 nm thick of AlON films were deposited with 200 watts r.f. power and the substrate temperature is maintained at room temperature by the technique of gas-timing which varying flow-in sequence of high purity of Ar (99.999%) and N2 (99.9999%) gases fed into the sputtering chamber at 10:90 (sec) ratio. The composition and crystal orientation of AlON films affected by gas-timing of Ar and N2 were analyzed by Auger Electron Spectroscopy (AES) and X-ray diffraction (XRD). The oxygen atoms revealed by AES formed into a corporation in films was studied. This suggests that the oxygen contamination formed as AlOXNY compound may due to the residual oxygen in base pressure of 10-7 mbar and higher reactivity of oxygen in the reactor compared to nitrogen. The gas-timing technique used in the sputtering growth system shows the advantage of the oxygen quantity control, while the general sputtering process (without gas-timing technique) shows an increase of the oxygen composition depended on film thickness. The characterizations results clearly indicate that the gas-timing r.f. magnetron sputtering technique plays an important role to control the incorporation of oxygen and to form the nanocrystal-aluminum oxynitride films which very attractive for various sensors applications.

บรรณานุกรม :
Win Bunjongpru , Supanit Porntheeraphat , Nimit Somwang , Phaiboon Khomdet , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukeaw , วิน บรรจงปรุ , ศุภนิจ พรธีระภัทร , นิมิต สมหวัง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . (2552). Oxygen Control on nanocrystal-AlON Films by Reactive Gas-Timing Technique R.F. Magnetron Sputtering and Annealing Effect.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Win Bunjongpru , Supanit Porntheeraphat , Nimit Somwang , Phaiboon Khomdet , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukeaw , วิน บรรจงปรุ , ศุภนิจ พรธีระภัทร , นิมิต สมหวัง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . 2552. "Oxygen Control on nanocrystal-AlON Films by Reactive Gas-Timing Technique R.F. Magnetron Sputtering and Annealing Effect".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Win Bunjongpru , Supanit Porntheeraphat , Nimit Somwang , Phaiboon Khomdet , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukeaw , วิน บรรจงปรุ , ศุภนิจ พรธีระภัทร , นิมิต สมหวัง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . "Oxygen Control on nanocrystal-AlON Films by Reactive Gas-Timing Technique R.F. Magnetron Sputtering and Annealing Effect."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2552. Print.
Win Bunjongpru , Supanit Porntheeraphat , Nimit Somwang , Phaiboon Khomdet , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Jiti Nukeaw , วิน บรรจงปรุ , ศุภนิจ พรธีระภัทร , นิมิต สมหวัง , ไพบูลย์ ขอมเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , จิติ หนูแก้ว . Oxygen Control on nanocrystal-AlON Films by Reactive Gas-Timing Technique R.F. Magnetron Sputtering and Annealing Effect. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2552.