ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Characterization of n-type and p-type Semiconductor Gas sensors Based on NiOx Doped TiO2 Thin Films

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Characterization of n-type and p-type Semiconductor Gas sensors Based on NiOx Doped TiO2 Thin Films
นักวิจัย : Anurat Wisitsoraat , Adisorn Tuantranont , E. COMINI , G.. SBERVEGLIERI , W. Wlodarski , อนุรัตน์ วิศิษฏ์สรอรรถ , อดิสร เตือนตรานนท์
คำค้น : Electron beam evaporation , Nickel oxide , Semiconductor gas sensor , Thin films , Titanium dioxide , X-ray diffraction , X-ray photoelectron spectroscopy , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/17605
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This work presents the development of n-type and p-type gas-sensitive materials from NiOx doped TiO2 thin films prepared by ion-assisted electron-beam evaporation. TiO2 gas-sensing layers have been deposited over a wide range of NiOx content (0–10 wt.%). The material analysis by atomic force microscopy, X-ray photoemission spectroscopy, and X-ray diffraction suggests that NiOx doping does not significantly affect surface morphology and Ni element may be a substitutional dopant of the TiO2 host material. Electrical characterization shows that NiOx content as high as 10% wt. is needed to invert the n-type conductivity of TiO2 into p-type conductivity. There are notable gas-sensing response differences between n-type and p-type NiOx doped TiO2 thin film. The responses toward all tested reducing gases tend to increase with operating temperature for the n-type TiO2 films while the response decreases with temperature for p-type TiO2 film. In addition, the p-type NiOx doping results in the significant response enhancement toward tested reducing gases such as acetone and ethanol at low operating temperature of 300 °C.

บรรณานุกรม :
Anurat Wisitsoraat , Adisorn Tuantranont , E. COMINI , G.. SBERVEGLIERI , W. Wlodarski , อนุรัตน์ วิศิษฏ์สรอรรถ , อดิสร เตือนตรานนท์ . (2552). Characterization of n-type and p-type Semiconductor Gas sensors Based on NiOx Doped TiO2 Thin Films.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Anurat Wisitsoraat , Adisorn Tuantranont , E. COMINI , G.. SBERVEGLIERI , W. Wlodarski , อนุรัตน์ วิศิษฏ์สรอรรถ , อดิสร เตือนตรานนท์ . 2552. "Characterization of n-type and p-type Semiconductor Gas sensors Based on NiOx Doped TiO2 Thin Films".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Anurat Wisitsoraat , Adisorn Tuantranont , E. COMINI , G.. SBERVEGLIERI , W. Wlodarski , อนุรัตน์ วิศิษฏ์สรอรรถ , อดิสร เตือนตรานนท์ . "Characterization of n-type and p-type Semiconductor Gas sensors Based on NiOx Doped TiO2 Thin Films."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2552. Print.
Anurat Wisitsoraat , Adisorn Tuantranont , E. COMINI , G.. SBERVEGLIERI , W. Wlodarski , อนุรัตน์ วิศิษฏ์สรอรรถ , อดิสร เตือนตรานนท์ . Characterization of n-type and p-type Semiconductor Gas sensors Based on NiOx Doped TiO2 Thin Films. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2552.