ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density
นักวิจัย : Amporn Poyai , Win Bunjongpru , Nipapan Klunngien , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , Jiti Nukeaw , อัมพร โพธิ์ใย , วิน บรรจงปรุ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ , จิติ หนูแก้ว
คำค้น : Aluminum oxynitride (AlON) , Metal–dielectric–metal , RF gas-timing sputtering , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/17428
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This paper presents the method to prepare and characterize high-dielectric constant aluminum oxynitride (AlON) formed by RF gas-timing sputtering. AlON layers of 725 nm have been prepared on metal–dielectric–metal structure with substrate temperature below 100 °C. Capacitance versus bias voltage has been measured. The dielectric constant of AlON has been calculated from the slope of the plot of capacitance versus capacitor area. The value of 11 has been obtained from this study. This depends on the composition of the AlON material, which is analyzed by Auger electron spectroscopy.

บรรณานุกรม :
Amporn Poyai , Win Bunjongpru , Nipapan Klunngien , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , Jiti Nukeaw , อัมพร โพธิ์ใย , วิน บรรจงปรุ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ , จิติ หนูแก้ว . (2551). High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Amporn Poyai , Win Bunjongpru , Nipapan Klunngien , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , Jiti Nukeaw , อัมพร โพธิ์ใย , วิน บรรจงปรุ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ , จิติ หนูแก้ว . 2551. "High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Amporn Poyai , Win Bunjongpru , Nipapan Klunngien , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , Jiti Nukeaw , อัมพร โพธิ์ใย , วิน บรรจงปรุ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ , จิติ หนูแก้ว . "High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print.
Amporn Poyai , Win Bunjongpru , Nipapan Klunngien , Supanit Porntheeraphat , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , Jiti Nukeaw , อัมพร โพธิ์ใย , วิน บรรจงปรุ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ศุภนิจ พรธีระภัทร , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ , จิติ หนูแก้ว . High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2551.