ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

The optimization of TiN film deposited by DC magnetron sputtering provided for Al diffusion barrier

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : The optimization of TiN film deposited by DC magnetron sputtering provided for Al diffusion barrier
นักวิจัย : Apirak Pankiew , Win Bunjongpru , N. Somwang , S. Porntheeraphat , Sirapat Pratontep , S. Sophitpan , Jiti Nukaew , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , อภิรักษ์ ผันเขียว , วิน บรรจงปรุ , นิมิต สมหวัง , ศุภนิจ พรธีระภัทร , สิรพัฒน์ ประโทนเทพ
คำค้น : DC magnetron sputtering , Diffusion barrier , Materials engineering , Titanium nitride (TiN) , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/17284
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Titanium nitride film has been widely used as a diffusion barrier layer for VLSI contact metallization because TiN is an excellent barrier against inter diffusion between Al and Si substrate or silicide. In this work, we studied the properties of TiN films deposited by DC magnetron sputtering with varying N2 to Ar flow rate ratio in order to optimize growth conditions and film properties provided for Al diffusion barrier purpose. The TiN films were deposited at the constant pressure level and sputtering time. The crystalline orientation, composition and electrical properties of deposited TiN films were characterized by XRD, AES-depth profile and Four Point Probe measurement, respectively. The XRD results show that the deposited TiN film has two preferred orientations of TiN 111 and TiN 200 planes. The highest intensity of the TiN 111 plane was obtained when the N2 to Ar flow rate ratio was 3 to 1. The electrical resistivity was increased when the N2 to Ar flow rate ratio was decreased. The minimum electrical resistivity is 127.8 micro ohm.cm when the N2 to Ar flow rate ratio is 3 to 1

บรรณานุกรม :
Apirak Pankiew , Win Bunjongpru , N. Somwang , S. Porntheeraphat , Sirapat Pratontep , S. Sophitpan , Jiti Nukaew , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , อภิรักษ์ ผันเขียว , วิน บรรจงปรุ , นิมิต สมหวัง , ศุภนิจ พรธีระภัทร , สิรพัฒน์ ประโทนเทพ . (2552). The optimization of TiN film deposited by DC magnetron sputtering provided for Al diffusion barrier.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Apirak Pankiew , Win Bunjongpru , N. Somwang , S. Porntheeraphat , Sirapat Pratontep , S. Sophitpan , Jiti Nukaew , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , อภิรักษ์ ผันเขียว , วิน บรรจงปรุ , นิมิต สมหวัง , ศุภนิจ พรธีระภัทร , สิรพัฒน์ ประโทนเทพ . 2552. "The optimization of TiN film deposited by DC magnetron sputtering provided for Al diffusion barrier".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Apirak Pankiew , Win Bunjongpru , N. Somwang , S. Porntheeraphat , Sirapat Pratontep , S. Sophitpan , Jiti Nukaew , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , อภิรักษ์ ผันเขียว , วิน บรรจงปรุ , นิมิต สมหวัง , ศุภนิจ พรธีระภัทร , สิรพัฒน์ ประโทนเทพ . "The optimization of TiN film deposited by DC magnetron sputtering provided for Al diffusion barrier."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2552. Print.
Apirak Pankiew , Win Bunjongpru , N. Somwang , S. Porntheeraphat , Sirapat Pratontep , S. Sophitpan , Jiti Nukaew , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , อภิรักษ์ ผันเขียว , วิน บรรจงปรุ , นิมิต สมหวัง , ศุภนิจ พรธีระภัทร , สิรพัฒน์ ประโทนเทพ . The optimization of TiN film deposited by DC magnetron sputtering provided for Al diffusion barrier. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2552.