ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

The Effect of Ion Implantation on ISFET-Sensing Membrane

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : The Effect of Ion Implantation on ISFET-Sensing Membrane
นักวิจัย : Rungtawee Piyananjaratsri , Win Bunjongpru , Ekalak Chaowicharat , Opas Trithaveesak , K. Saeteaw , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , รุ่งทวี ปิยนันท์จรัสศรี , วิน บรรจงปรุ , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : Ion implantation , ISFET , Materials engineering , Sensing Membrane , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2553
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/17074
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This research studied the effect of ion implantation on electrical properties of ISFETs. In the experiments the sensing membrane area were implanted with 3 types of ions (Boron(B), Phosphorus(P), and Arsenic(As)). After the implantation without annealing, the IV-characteristics of Source/Drain (P-N junction) of ISFET were performed and compared with the behaviour before implantation. In addition, the response to acid-alkaline (sensitivity) of ISFET were also studied. From the results the leakage current of source-drain, P-N junction like, decreases significantly after the implantation. However, this process damaged the devices so that the response to acid-alkaline are lost.

บรรณานุกรม :