ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Study of Combined Device, p-n Junction Diode and Ion Selective Field Effect Transistor, for Temperature and pH measurement

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Study of Combined Device, p-n Junction Diode and Ion Selective Field Effect Transistor, for Temperature and pH measurement
นักวิจัย : อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , วิน บรรจงปรุ , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง , Awirut Srisuwan , Win Bunjongpru , Wutthinan Jeamsaksiri , Opas Trithaveesak , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Wisut Titiroongruang
คำค้น : pH-ISFET , Temperature Sensor , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , อุปกรณ์ตรวจวัดอุณหภูมิ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/16819
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Ion Selective Field Effect Transistor (ISFET) เป็นอุปกรณ์ที่ไวต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิเช่นเดียวกับสารกึ่งตัวนำชนิดอื่น ด้วยเหตุนี้เพื่อให้ผลการวัดเป็นไปอย่างถูกต้อง อุณหภูมิในขณะวัดจะต้องมีการตรวจวัดด้วย ในรายงานวิจัยฉบับนี้ได้ทำการสร้างและศึกษาอุปกรณ์ 2 ชนิด คือ ไดโอดสำหรับวัดอุณหภูมิ และ ISFET สำหรับวัดค่าความเป็นกรดเป็นด่างที่รวมอยู่ในตัวเดียวกัน ในการศึกษาครั้งนี้ได้นำอุปกรณ์ตัวอย่างจุ่มในสารละลายบัฟเฟอร์ pH 7 ในช่วงอุณหภูมิระหว่าง 25 ถึง 65 oC จากผลการวัดพบว่าค่าสัมประสิทธิ์ของอุณหภูมิ (Temperature coefficient) ของ ISFET มีค่าเท่ากับ -3.7 mV/oC โดยที่ป้อนแรงดัน VDS คงที่เท่ากับ 300 mV และไดโอดมีค่าการตอบสนองอุณหภูมิเท่ากับ 2.35 mV/oC เมื่อป้อนกระแสไฟฟ้าคงที่เท่ากับ 200 A /Ion Selective Field Effect Transistor (ISFET) is, a semiconductor device, a temperature sensitive device. By this way, for the accurate measurement using ISFET as pH-Sensor, the ambience temperature must to be known in order to compensate the temperature effect on the device. In this study the combined device, p-n diode as thermal sensor and ISFET as pH sensor, were fabricated on the same chip. By the characterization the studied devices were immersed and measured in the pH 7-buffer solution over the temperature range from 25 to 65 oC. From the correlation of drain-source current (IDS) and gate voltage (VG), ISFET shows the temperature coefficient of -3.7 mV/oC at constant drain-source voltage VDS = 300 mV. In the same temperature range, the sensitivity of p-n junction diode, applied with constant current ID = 200 A, is 2.35 mV/oC

บรรณานุกรม :
อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , วิน บรรจงปรุ , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย , วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง , Awirut Srisuwan , Win Bunjongpru , Wutthinan Jeamsaksiri , Opas Trithaveesak , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , Wisut Titiroongruang . "Study of Combined Device, p-n Junction Diode and Ion Selective Field Effect Transistor, for Temperature and pH measurement."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print.