ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Giant dielectric behavior of solution-growth CuO ceramics subjected to dc bias voltage and uniaxial compressive stress

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Giant dielectric behavior of solution-growth CuO ceramics subjected to dc bias voltage and uniaxial compressive stress
นักวิจัย : Thanin Putjuso , Prapun Manyum , Rattikorn Yimnirun , Santi Maensiri , Prasit Thongbai , Theerapon Yamwong , ธานินทร์ ปัจจุโส , ประพันธ์ แม่นยำ , รัตติกร ยิ้มนิรัญ , สันติ แม้นศิริ , ประสิทธิ์ ทองใบ , ธีระพนธ์ แย้มวงษ์
คำค้น : Compressive stress , Copper (II) oxide , Dielectrics , Maxwell-Wagner polarization , Physics of materials , ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/14734
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This paper reports the influence of the dc bias voltage and uniaxial compressive stress on the giant dielectric properties of solution-growth CuO ceramics sintered at 900 (PR-900) and 950 °C (PR-950) for 10 h in air. The dielectric constants at room temperature and 1 kHz for both samples are respectively about 1.40 × 104 and 1.43 × 104 which can be explained by Debye-like relaxation based on a Maxwell-Wagner polarization. The external resistance forming at the interface between electrode and surface sample and the dielectric constant of both ceramics decrease with increasing dc bias voltage (0–4 V) due to the decrease in electrode capacitance, whereas the resistance of internal parts such as grain and grain boundary resistance remains constant. Interestingly, it is found that the dielectric properties of the ceramics also depend strongly on the applied compressive stress. The ɛ′ and tanδ (measured at 1 kHz) of PR-900 (PR-950) sample increase, respectively, up to the maximum values of 2.6 × 106 (6.16 × 106) and 263 (132) at the applied stress of 63 MPa (79 MPa). The mechanism responsible for this dielectric behavior is discussed based on the electrode effect.

บรรณานุกรม :
Thanin Putjuso , Prapun Manyum , Rattikorn Yimnirun , Santi Maensiri , Prasit Thongbai , Theerapon Yamwong , ธานินทร์ ปัจจุโส , ประพันธ์ แม่นยำ , รัตติกร ยิ้มนิรัญ , สันติ แม้นศิริ , ประสิทธิ์ ทองใบ , ธีระพนธ์ แย้มวงษ์ . (2554). Giant dielectric behavior of solution-growth CuO ceramics subjected to dc bias voltage and uniaxial compressive stress.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Thanin Putjuso , Prapun Manyum , Rattikorn Yimnirun , Santi Maensiri , Prasit Thongbai , Theerapon Yamwong , ธานินทร์ ปัจจุโส , ประพันธ์ แม่นยำ , รัตติกร ยิ้มนิรัญ , สันติ แม้นศิริ , ประสิทธิ์ ทองใบ , ธีระพนธ์ แย้มวงษ์ . 2554. "Giant dielectric behavior of solution-growth CuO ceramics subjected to dc bias voltage and uniaxial compressive stress".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Thanin Putjuso , Prapun Manyum , Rattikorn Yimnirun , Santi Maensiri , Prasit Thongbai , Theerapon Yamwong , ธานินทร์ ปัจจุโส , ประพันธ์ แม่นยำ , รัตติกร ยิ้มนิรัญ , สันติ แม้นศิริ , ประสิทธิ์ ทองใบ , ธีระพนธ์ แย้มวงษ์ . "Giant dielectric behavior of solution-growth CuO ceramics subjected to dc bias voltage and uniaxial compressive stress."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2554. Print.
Thanin Putjuso , Prapun Manyum , Rattikorn Yimnirun , Santi Maensiri , Prasit Thongbai , Theerapon Yamwong , ธานินทร์ ปัจจุโส , ประพันธ์ แม่นยำ , รัตติกร ยิ้มนิรัญ , สันติ แม้นศิริ , ประสิทธิ์ ทองใบ , ธีระพนธ์ แย้มวงษ์ . Giant dielectric behavior of solution-growth CuO ceramics subjected to dc bias voltage and uniaxial compressive stress. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2554.