ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology
นักวิจัย : Chana Leepattarapongpan , Naritchaphan Penpondee , Toempong Phetchakul , Weera Phengan , Ekalak Chaowicharat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , เติมพงษ เพ็ชรกูล , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : Implantation , Lorentz Force , magnetotransistor , การยิงฝังประจุ , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , แมกนีโตทรานซิสเตอร์ , แรงลอเรนซ์
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/14029
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This article presents three-terminal magnetotransistors, fabricated using standard CMOS process technology, to detect magnetic field in both vertical (Bz) and lateral (By) directions. This work studied the effect of temperature and doping concentration to the quality of magnetotransistors. The structure employed an ion implantation technique to construct an emitter, collector, and base. From the experiment, the implantation dose was varied at 3×1015, 5×1015, and 1×1016 ions/cm2. It was found that, at emitter current of 5 mA and implantation dose of 3×1015 ions/cm2, the sensitivity are 0.17 and 0.2 mV/mT for vertical and horizontal directions respectively. The devices can operate well up to 70ºC with good linearity.

บรรณานุกรม :
Chana Leepattarapongpan , Naritchaphan Penpondee , Toempong Phetchakul , Weera Phengan , Ekalak Chaowicharat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , เติมพงษ เพ็ชรกูล , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย . "Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print.