ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

High quality hydrogenated amorphous silicon oxide film and its application in thin film silicon solar cells

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : High quality hydrogenated amorphous silicon oxide film and its application in thin film silicon solar cells
นักวิจัย : Jaran Sritharathikhun , Apichan Moollakorn , Songkiate Kittisontirak , Amornrat Limmanee , Kobsak Sriprapha , จรัญ ศรีธาราธิคุณ , อภิชาญ มูลละคร , ทรงเกียรติ กิตติสนธิรักษ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , กอบศักดิ์ ศรีประภา
คำค้น : Absorber layer , Hydrogenated amorphous silicon oxide , Single junction solar cell , Thin film silicon , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/13024
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Wide gap, high quality hydrogenated intrinsic amorphous silicon oxide (i-a-SiO:H) films have been prepared by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (60 MHz VHF-PECVD) technique for using as an absorber layer for the single junction amorphous silicon solar cells. In this study, we mainly investigated the effect of plasma power density on the defect density of the films, since the defect density is a critical parameter for estimating the thin film silicon-based quality It was found that the defect density was increased with increasing plasma power density. The thin film i-a-SiO:H based solar cells with the structure of TCO/p/i-a-SiO:H/n/ZnO/Ag were fabricated in order to investigate the effects of plasma power density for the i-a-SiO:H deposition on the solar cell performance. The experimental results showed that the conversion efficiency (η) was improved from 6.8 to 7.3% due to the improvement in fill factor (FF) by decreasing plasma power density from 50.0 to 33.3 mW/cm2. In comparison with the cell using conventional i-a-Si:H absorber, a peak of the spectra response in the short wavelength region (400–600 nm) was shifted from 600 to 550 nm. These results showed the potential of the i-a-SiO:H films for applying in top cell of multi-junction solar cell in order to improve the light absorption in the short wavelength region.

บรรณานุกรม :
Jaran Sritharathikhun , Apichan Moollakorn , Songkiate Kittisontirak , Amornrat Limmanee , Kobsak Sriprapha , จรัญ ศรีธาราธิคุณ , อภิชาญ มูลละคร , ทรงเกียรติ กิตติสนธิรักษ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , กอบศักดิ์ ศรีประภา . (2554). High quality hydrogenated amorphous silicon oxide film and its application in thin film silicon solar cells.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Jaran Sritharathikhun , Apichan Moollakorn , Songkiate Kittisontirak , Amornrat Limmanee , Kobsak Sriprapha , จรัญ ศรีธาราธิคุณ , อภิชาญ มูลละคร , ทรงเกียรติ กิตติสนธิรักษ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , กอบศักดิ์ ศรีประภา . 2554. "High quality hydrogenated amorphous silicon oxide film and its application in thin film silicon solar cells".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Jaran Sritharathikhun , Apichan Moollakorn , Songkiate Kittisontirak , Amornrat Limmanee , Kobsak Sriprapha , จรัญ ศรีธาราธิคุณ , อภิชาญ มูลละคร , ทรงเกียรติ กิตติสนธิรักษ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , กอบศักดิ์ ศรีประภา . "High quality hydrogenated amorphous silicon oxide film and its application in thin film silicon solar cells."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2554. Print.
Jaran Sritharathikhun , Apichan Moollakorn , Songkiate Kittisontirak , Amornrat Limmanee , Kobsak Sriprapha , จรัญ ศรีธาราธิคุณ , อภิชาญ มูลละคร , ทรงเกียรติ กิตติสนธิรักษ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , กอบศักดิ์ ศรีประภา . High quality hydrogenated amorphous silicon oxide film and its application in thin film silicon solar cells. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2554.