ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

p-Type hydrogenated silicon oxide thin film deposited near amorphous to microcrystalline phase transition and its application to solar cells

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : p-Type hydrogenated silicon oxide thin film deposited near amorphous to microcrystalline phase transition and its application to solar cells
นักวิจัย : Kobsak Sriprapha , Nopphadol Sitthiphol , Puchong Sangkhawong , Vichit Sangsuwan , Amornrat Limmanee , Jaran Sritharathikhun , กอบศักดิ์ ศรีประภา , นพดล สิทธิพล , ภุชงค์ สังฆะวงศ์ , วิชิต แสงสุวรรณ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , จรัญ ศรีธาราธิคุณ
คำค้น : p-Type hydrogenated amorphous silicon oxide , Phase transition , Protocrystalline silicon oxide , Thin film silicon solar cell , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/13021
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We have developed p type hydrogenated silicon oxide (p type SiO:H) films which fabricated near the phase between amorphous and microcrystalline silicon oxide (a-SiO:H and μc-SiO:H) transition region in order to improve the open circuit voltage (Voc) and short circuit current density (Jsc), of thin film silicon solar cells. A mixed gas of diborane (B2H6) and trimethylboron (B(CH3)3 or TMB) was used as a doping gas while carbon dioxide (CO2) was applied as a source of oxygen atom (O). The p type SiO:H films were deposited by a 60 MHz plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique. We found that, the phase transition of amorphous to microcrystalline region could be controlled by changing CO2 flow rate. By increasing the CO2 flow rate from 0 to 1.0 sccm, the peak position of Raman spectra changed from 520 cm−1 to 480 cm−1. The conductivity of the p type SiO:H films decreased from 1.65 × 10−1 S/cm (μc-SiO:H phase) to 1.12 × 10−5 S/cm (a-SiO:H phase) when the CO2 flow reached 1.0 sccm. The Eopt of all p type SiO:H films were found in the range of 1.94–2.09 eV. By applying the p type SiO:H films to p-i-n solar cells with the structure of TCO/p/i-a-Si:H (400 nm)/n/ZnO/Ag, it was found that solar cells with p-layer deposited just below the onset of the μc-SiO:H indicated better performance than solar cells using p-a-SiO:H or p-μc-SiO:H layer. They indicated relatively high Voc and Jsc, resulted in the highest cell conversion efficiency of 8.5%.

บรรณานุกรม :
Kobsak Sriprapha , Nopphadol Sitthiphol , Puchong Sangkhawong , Vichit Sangsuwan , Amornrat Limmanee , Jaran Sritharathikhun , กอบศักดิ์ ศรีประภา , นพดล สิทธิพล , ภุชงค์ สังฆะวงศ์ , วิชิต แสงสุวรรณ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , จรัญ ศรีธาราธิคุณ . (2554). p-Type hydrogenated silicon oxide thin film deposited near amorphous to microcrystalline phase transition and its application to solar cells.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Kobsak Sriprapha , Nopphadol Sitthiphol , Puchong Sangkhawong , Vichit Sangsuwan , Amornrat Limmanee , Jaran Sritharathikhun , กอบศักดิ์ ศรีประภา , นพดล สิทธิพล , ภุชงค์ สังฆะวงศ์ , วิชิต แสงสุวรรณ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , จรัญ ศรีธาราธิคุณ . 2554. "p-Type hydrogenated silicon oxide thin film deposited near amorphous to microcrystalline phase transition and its application to solar cells".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Kobsak Sriprapha , Nopphadol Sitthiphol , Puchong Sangkhawong , Vichit Sangsuwan , Amornrat Limmanee , Jaran Sritharathikhun , กอบศักดิ์ ศรีประภา , นพดล สิทธิพล , ภุชงค์ สังฆะวงศ์ , วิชิต แสงสุวรรณ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , จรัญ ศรีธาราธิคุณ . "p-Type hydrogenated silicon oxide thin film deposited near amorphous to microcrystalline phase transition and its application to solar cells."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2554. Print.
Kobsak Sriprapha , Nopphadol Sitthiphol , Puchong Sangkhawong , Vichit Sangsuwan , Amornrat Limmanee , Jaran Sritharathikhun , กอบศักดิ์ ศรีประภา , นพดล สิทธิพล , ภุชงค์ สังฆะวงศ์ , วิชิต แสงสุวรรณ์ , อมรรัตน์ ลิ้มมณี , จรัญ ศรีธาราธิคุณ . p-Type hydrogenated silicon oxide thin film deposited near amorphous to microcrystalline phase transition and its application to solar cells. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2554.