ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การสร้างพื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวดที่มีสมบัติการสะท้อนแสงต่ำ ด้วยโครงสร้างแบบซิลิกอนดำ

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การสร้างพื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวดที่มีสมบัติการสะท้อนแสงต่ำ ด้วยโครงสร้างแบบซิลิกอนดำ
นักวิจัย : จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , นิธิ อัตถิ , ปาวีณา ดุลยเสรี , อรพรรณ ทองสุข , อัมพร โพธิ์ใย , Jakrapong Supadech , Charndet Hruanun , Nithi Atthi , Oraphan Thongsook , Amporn Poyai
คำค้น : Black silicon , Deep Reactive Ion Etching , Engineering and technology , Manufacturing engineering , Materials engineering , Reflectance , Superhydrophobic surface , Surface technology , การกัดลึกแบบรีแอ๊กทีฟไอออน , การสะท้อนแสง , ซิลิกอนดำ , พื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวด , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2553
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/13000
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This research studied about the surface treatment of the mirror-liked silicon wafer to the roughen surface with the Black silicon nano-structures. The Black silicon can be fabricated by Deep Reactive Ion Etching (DRIE) process without any patterned by photolithography. The black silicon has a needle-shape with the size in nanometer, porous, and black opaque color. The reflectance of black silicon is near zero in the range of visible light and near-infrared (wavelength = 300 to 2,000 nm). Moreover, the black silicon surface is coated with siliconoxyfluoride (SiOxFy) during etch process. This make the black silicon has a superhydrophobicity, which the water contact angle before and after coated with TPFS are 161.8 and 166.2 degrees, respectively. This structure can be applied with photonics and microfluidic devices.

งานวิจัยนี้ศึกษาเกี่ยวกับการเปลี่ยนพื้นผิวเรียบของแผ่นซิลิกอนที่มีลักษณะคล้ายกระจกเงา ให้เป็นพื้นผิวที่มีความหยาบด้วยโครงสร้างจุลภาคแบบซิลิกอนดำ (Black silicon) โดยสร้างได้ด้วยกระบวนการกัดลึกแบบรีแอ๊กทีฟไอออน ที่ไม่ต้องใช้กระบวนการถ่ายแบบลายวงจร ทำให้เกิดโครงสร้างคล้ายเข็มขนาดระดับนาเมตร มีลักษณะคล้ายวัสดุพรุน มีความด้านบนพื้นผิว ส่งผลให้การดูดกลืนแสงนั้นมีค่าใกล้ศูนย์ตลอดช่วงแสงที่ตามองเห็นและข่วงใกล้แสงอินฟราเรด (ความยาวคลื่น 300 ถึง 2000 นาโนเมตร) พื้นผิวซิลิกอนดำนั้นจะถุกเคลือบผิวด้วยสารในกลุ่มซิลิกอนออกซีฟลูออไรด์ ระหว่างกระบวนการกัดทำให้เกิดสมบัติน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวด โดยมีค่ามุมสัมผัสของหยดน้ำก่อนและหลังการเคลือบด้วยสาร TPFS เท่ากับ 161.8 และ 166.2 องศาตามลำดับ ซึ่งโครงสร้างดังกล่าวสามารถนำไปประยุกต์ใช้กับงานด้านแสงหรืออุปกรณ์ระบบการไหลขนาดเล็กได้

บรรณานุกรม :
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , นิธิ อัตถิ , ปาวีณา ดุลยเสรี , อรพรรณ ทองสุข , อัมพร โพธิ์ใย , Jakrapong Supadech , Charndet Hruanun , Nithi Atthi , Oraphan Thongsook , Amporn Poyai . (2553). การสร้างพื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวดที่มีสมบัติการสะท้อนแสงต่ำ ด้วยโครงสร้างแบบซิลิกอนดำ.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , นิธิ อัตถิ , ปาวีณา ดุลยเสรี , อรพรรณ ทองสุข , อัมพร โพธิ์ใย , Jakrapong Supadech , Charndet Hruanun , Nithi Atthi , Oraphan Thongsook , Amporn Poyai . 2553. "การสร้างพื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวดที่มีสมบัติการสะท้อนแสงต่ำ ด้วยโครงสร้างแบบซิลิกอนดำ".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , นิธิ อัตถิ , ปาวีณา ดุลยเสรี , อรพรรณ ทองสุข , อัมพร โพธิ์ใย , Jakrapong Supadech , Charndet Hruanun , Nithi Atthi , Oraphan Thongsook , Amporn Poyai . "การสร้างพื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวดที่มีสมบัติการสะท้อนแสงต่ำ ด้วยโครงสร้างแบบซิลิกอนดำ."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2553. Print.
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , นิธิ อัตถิ , ปาวีณา ดุลยเสรี , อรพรรณ ทองสุข , อัมพร โพธิ์ใย , Jakrapong Supadech , Charndet Hruanun , Nithi Atthi , Oraphan Thongsook , Amporn Poyai . การสร้างพื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวดที่มีสมบัติการสะท้อนแสงต่ำ ด้วยโครงสร้างแบบซิลิกอนดำ. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2553.