การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor
นักวิจัย	:	จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์
คำค้น	:	Etch , Poly-silicon , Silicon dioxide , กัด , ซิลิคอนไดออกไซด์ , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , โพลี-ซิลิคอน
หน่วยงาน	:	สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2550
อ้างอิง	:	http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/11164
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	-
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	รายงานฉบับนี้เป็นการศึกษาเงื่อนไขต่างๆ ในการกัดชั้นโพลีซิลิคอนหนา 1.5 mm. และชั้นซิลิคอนไดออกไซด์หนา 164 mm. เพื่อหาเงื่อนไขที่สามารถกัดชั้นโพลีซิลิคอน และชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ ได้สะอาดที่สุด เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นส่วนหนึ่งของกระบวนการผลิตของ RADI pressure sensor ซึ่งจากผลการทดลองพบว่าการใช้สูตร “Poly-backside-4” บน photo-resist ที่มีความหนา 20,000 Å ให้ผลดีที่สุด โดยสามารถนำไปใช้กัดชั้นโพลีซิลิคอนและชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ออกของ RADI pressure sensor ได้ This report presents the study of 1.5 m. poly-Si and 164 nm. SiO2 clean etching recipe for applied with RADI pressure sensor process. From the experimental results was found, recipe “Poly-backside-4” on photo-resist thickness 20,000 Å is the best condition, it to be able to apply for etching poly-Si and SiO2 of RADI pressure sensor.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . (2550). การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . 2550. "การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor". ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . "การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor." ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2550. Print. จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2550.