รายงานฉบับนี้เป็นการศึกษาเงื่อนไขต่างๆ ในการกัดชั้นโพลีซิลิคอนหนา 1.46 m. และชั้นซิลิคอนไดออกไซด์หนา 164 nm. ด้านหลังแผ่นผลึกซิลิคอน เพื่อหาเงื่อนไขที่สามารถกัดชั้นโพลีซิลิคอน และชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ได้สะอาด เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นส่วนหนึ่งของกระบวนการผลิตของ RADI pressure sensor ซึ่งจากผลการทดลองพบว่าการใช้สูตร “Poly-backside-2” ซึ่งเป็นการแบ่งการกัดชั้นโพลีซิลิคอน ออกเป็นสองช่วงจะให้ผลดีที่สุด โดยสามารถกัดชั้นโพลีซิลิคอนและชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ออกได้หมดและมีความสะอาดมากที่สุด This report presents the study of 1.46 m poly-Si and 164 nm SiO2 on backside etching recipe to apply the optimized condition with RADI pressure sensor process. From the experimental results. It was found that, recipe “Poly-backside-2” recipe, which separate poly-Si etching from once to double time, is the optimized condition to apply with poly-Si and SiO2 backside etching of RADI pressure sensor.