ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ด้านหลัง ของสายการผลิต pressure sensor

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ด้านหลัง ของสายการผลิต pressure sensor
นักวิจัย : จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์
คำค้น : Backside etch , Poly-silicon , Silicon dioxide , กัดด้านหลัง , ซิลิคอนไดออกไซด์ , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , โพลีซิลิคอน
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/11128
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

รายงานฉบับนี้เป็นการศึกษาเงื่อนไขต่างๆ ในการกัดชั้นโพลีซิลิคอนหนา 1.46 m. และชั้นซิลิคอนไดออกไซด์หนา 164 nm. ด้านหลังแผ่นผลึกซิลิคอน เพื่อหาเงื่อนไขที่สามารถกัดชั้นโพลีซิลิคอน และชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ได้สะอาด เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นส่วนหนึ่งของกระบวนการผลิตของ RADI pressure sensor ซึ่งจากผลการทดลองพบว่าการใช้สูตร “Poly-backside-2” ซึ่งเป็นการแบ่งการกัดชั้นโพลีซิลิคอน ออกเป็นสองช่วงจะให้ผลดีที่สุด โดยสามารถกัดชั้นโพลีซิลิคอนและชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ออกได้หมดและมีความสะอาดมากที่สุด This report presents the study of 1.46 m poly-Si and 164 nm SiO2 on backside etching recipe to apply the optimized condition with RADI pressure sensor process. From the experimental results. It was found that, recipe “Poly-backside-2” recipe, which separate poly-Si etching from once to double time, is the optimized condition to apply with poly-Si and SiO2 backside etching of RADI pressure sensor.

บรรณานุกรม :
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . (2550). การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ด้านหลัง ของสายการผลิต pressure sensor.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . 2550. "การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ด้านหลัง ของสายการผลิต pressure sensor".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . "การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ด้านหลัง ของสายการผลิต pressure sensor."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2550. Print.
จักรพงศ์ ศุภเดช , ชาญเดช หรูอนันต์ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ด้านหลัง ของสายการผลิต pressure sensor. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2550.