ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

กระบวนการสร้าง Alignment Layer ของสายการผลิต Magnetic Sensor

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : กระบวนการสร้าง Alignment Layer ของสายการผลิต Magnetic Sensor
นักวิจัย : กรรณิกา อุประโคตร , ชาญเดช หรูอนันต์ , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์
คำค้น : Alignment Mark , Magnetic sensor , Plasma Etcher , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/11122
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Magnetic Sensor ผลิตขึ้นโดยใช้ TMEC Fabriaction Technology ซึ่งเทคโนโลยีนี้ ไม่มีการสร้าง Zero Alignment Mark แต่อาศัยสร้างลวดลาย Alignment Mark ไปพร้อมกับการทำ Oxide Growth ของขั้นตอน Active Formation เพื่อลดต้นทุนในการสร้างกระจกต้นแบบ Zero Alignment Mark แต่สำหรับ Magnetic Sensor ซึ่งโครงสร้าง Device ไม่มีการทำ Oxide Growth จึงต้องเสริมขั้นตอนการสร้าง Alignment Mark ขึ้นมา เนื่องจากลายวงจรที่สร้างขึ้นมาในชั้นแรกเป็นชั้นที่สร้างสำหรับการยิงฝังประจุอิออน ดังนั้นเมื่อลอกน้ำยาไวแสงออกแล้วจะไม่สามารถมองเห็นชั้นลายวงจรในบริเวณที่ถูกยิงประจุได้ชัด จึงต้องสร้างชั้น Alignment Mark ขึ้นมาก่อนสร้างชั้นฉนวนเพื่อให้ลายวงจรชั้นฉนวน ตรงกับชั้นที่เจือสาร การสร้าง Alignment Mark ของ Magnetic Sensor ทำขึ้นหลังจากขั้นตอนการเจือสาร โดยผ่านกระบวนการ Lithography เลือกลวดลายมาจากกระจกต้นแบบ pH-ACTIVE ที่มีอยู่แล้วมาใช้งาน ร่วมกับ Blind Function ในเครื่อง Stepper โดยไม่ต้องลงทุนสร้างกระจกต้นแบบ Alignment Mark ใหม่ จากนั้นกัดชั้น Oxide กินลึกลงไปจนถึงเนื้อ Silicon Substrate ด้วยกระบวนการกัดแบบ RIE (Reactive Ion Etching) แล้ววัดความลึกด้วยเครื่อง Step profiler พบว่า Alignment Layer มีความลึกประมาณ 550 nm ซึ่งมีความลึกพอที่จะทำการ Alignment ได้จึงส่งแผ่นเข้าสู่กระบวนการถัดไปคือสร้างฉนวน พบว่า Alignment Mark ที่สร้างขึ้นสามารถใช้งานได้

บรรณานุกรม :
กรรณิกา อุประโคตร , ชาญเดช หรูอนันต์ , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . (2550). กระบวนการสร้าง Alignment Layer ของสายการผลิต Magnetic Sensor.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
กรรณิกา อุประโคตร , ชาญเดช หรูอนันต์ , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . 2550. "กระบวนการสร้าง Alignment Layer ของสายการผลิต Magnetic Sensor".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
กรรณิกา อุประโคตร , ชาญเดช หรูอนันต์ , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . "กระบวนการสร้าง Alignment Layer ของสายการผลิต Magnetic Sensor."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2550. Print.
กรรณิกา อุประโคตร , ชาญเดช หรูอนันต์ , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ . กระบวนการสร้าง Alignment Layer ของสายการผลิต Magnetic Sensor. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2550.