ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ สำหรับ Memory Device

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ สำหรับ Memory Device
นักวิจัย : ชาญเดช หรูอนันต์ , ธงชัย ธงวิจิตรมณี , นิธิ อัตถิ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : กระบวนการถ่ายย่อแบบ , การล้างฟิล์มไวแสง , การเคลือบฟิล์มไวแสง , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/11062
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

กระบวนการถ่ายย่อแบบ (Lithography) เป็นการกำหนดลายวงจรลงบนแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ (Silicon Wafer) ก่อนเข้าสู่กระบวนการอื่นในการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ กระบวนการถ่ายย่อแบบ ประกอบไปด้วยสามขั้นตอนหลักคือ การเคลือบฟิล์มไวแสง (Photoresist Coating) การฉายแสง (Exposure) และการล้างฟิล์มไวแสง (Photoresist Developing) ในการดำเนินการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำแต่ละชนิด พารามิเตอร์ของกระบวนการถ่ายย่อแบบ ต้องแปรค่าให้เหมาะกับชนิดและความหนาของ Substrate ที่จะสร้างลวดลายสำหรับการผลิต Memory Device ระดับเทคโนโลยี 1.2 ไมครอน ที่มีโครงสร้าง 5 Layer ได้แก่ ชั้นโลหะ METAL-1(METAL-1 Layer) ชั้นฉนวน (VIA Layer) ชั้นวัสดุเฉพาะ NM (NM Layer) ชั้นโลหะ METAL-2 (METAL-2 Layer) และชั้นฉนวนที่ป้องกัน Device (PAD Layer) ในการพัฒนาครั้งนี้พารามิเตอร์ของการเคลือบฟิล์มไวแสงถูกทดสอบ และกำหนดเป็นโปรแกรมสองโปรแกรม คือโปรแกรม 18000a และ 13000b ที่ให้ความหนาของฟิล์มไวแสง 1800 nm และ 1300 nm ตามลำดับ โดยโปรแกรม 18000a ใช้กับ METAL-1 Layer NM Layer และ METAL-2 Layer ส่วนโปรแกรม 13000a ใช้กับ VIA Layer และ PAD Layer พารามิเตอร์ของการฉายแสง กำหนดโปรแกรมการฉายแสง ค่าพลังงาน และค่าโฟกัสแยกเป็นห้าส่วน ตาม Layer คือ METAL-1 Layer ใช้โปรแกรมการฉายแสง @AS.METAL-1 ค่าพลังงาน 200 msec ค่าโฟกัส 0.0 ไมครอน VIA Layer ใช้โปรแกรมการฉายแสง @AS.VIA ค่าพลังงาน 480 msec ค่าโฟกัส 0.0 ไมครอน NM Layer ใช้โปรแกรมการฉายแสง @AS.NM ค่าพลังงาน 180 msec ค่าโฟกัส -0.2 ไมครอน METAL-2 Layer ใช้โปรแกรมการฉายแสง @AS.METAL-2 ค่าพลังงาน 350 msec ค่าโฟกัส 0.0 ไมครอน PAD Layer ใช้โปรแกรมการฉายแสง @AS.PAD ค่าพลังงาน 500 msec ค่าโฟกัส 0.2 ไมครอน พารามิเตอร์ของการล้างฟิล์มไวแสงถูกทดสอบ และกำหนดเป็นโปรแกรมสามโปรแกรม คือ op65 op70 และ op75 ซึ่ง ล้างฟิล์มไวแสงนาน 65 70 และ 75 วินาที ตามลำดับ โดยโปรแกรม op65 ใช้กับ PAD Layer โปรแกรม op70 ใช้กับ VIA Layer ส่วนโปรแกรม op75 ใช้กับ METAL-1 Layer NM Layer และ METAL-2 Layer

บรรณานุกรม :
ชาญเดช หรูอนันต์ , ธงชัย ธงวิจิตรมณี , นิธิ อัตถิ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อัมพร โพธิ์ใย . (2550). การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ สำหรับ Memory Device.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
ชาญเดช หรูอนันต์ , ธงชัย ธงวิจิตรมณี , นิธิ อัตถิ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อัมพร โพธิ์ใย . 2550. "การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ สำหรับ Memory Device".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
ชาญเดช หรูอนันต์ , ธงชัย ธงวิจิตรมณี , นิธิ อัตถิ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อัมพร โพธิ์ใย . "การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ สำหรับ Memory Device."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2550. Print.
ชาญเดช หรูอนันต์ , ธงชัย ธงวิจิตรมณี , นิธิ อัตถิ , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ภาวดี มีสรรพวงศ์ , รัตนาวรรณ เมนะเนตร , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อัมพร โพธิ์ใย . การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ สำหรับ Memory Device. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2550.