ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

ศึกษาการใช้ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็นร่วมกับอุปกรณ์ ISFET สำหรับตรวจวัดอุณหภูมิ และการวัดค่า pH

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : ศึกษาการใช้ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็นร่วมกับอุปกรณ์ ISFET สำหรับตรวจวัดอุณหภูมิ และการวัดค่า pH
นักวิจัย : ชาญเดช หรูอนันต์ , วิน บรรจงปรุ , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , Charndet Hruanun , Win Bunjongpru , Wutthinan Jeamsaksiri , Awirut Srisuwan , Opas Trithaveesak , Amporn Poyai
คำค้น : pH-ISFET , Temperature Sensor , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/10999
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Ion Selective Field Effect Transistor (ISFET) เป็นอุปกรณ์ที่ไวต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิเช่นเดียวกับสารกึ่งตัวนำชนิดอื่น ด้วยเหตุนี้เพื่อให้ผลการวัดเป็นไปอย่างถูกต้อง อุณหภูมิในขณะวัดจะต้องมีการตรวจวัดด้วย ในรายงานวิจัยฉบับนี้ได้ทำการสร้างและศึกษาอุปกรณ์ 2 ชนิด คือ ไดโอดสำหรับวัดอุณหภูมิ และ ISFET สำหรับวัดค่าความเป็นกรดเป็นด่าง ที่รวมอยู่ในตัวเดียวกัน ในการศึกษาครั้งนี้ได้วัดอุปกรณ์ตัวอย่าง ในช่วงอุณหภูมิระหว่าง 25 ถึง 65 oC จากผลการวัดพบว่าค่าสัมประสิทธิ์ของอุณหภูมิ (Temperature coefficient) ของ ISFET มีค่าเท่ากับ -3.7 mV/oC และไดโอดมีค่าการตอบสนองอุณหภูมิเท่ากับ 59 mV/oC Ion Selective Field Effect Transistor (ISFET) is, as semiconductor device, a temperature sensitive device. By this way, for the accurate measurement using ISFET as pH-Sensor, the ambience temperature must to be known in order to compensate the temperature effect on the device. In this study the combined device, p-n diode as thermal sensor and ISFET as pH sensor, were fabricated on the same chip. By the characterization the studied devices were immersed and measured in the pH 7-buffer solution over the temperature range from 25 to 65 oC. From the correlation of drain-source current (IDS) and gate voltage (VG), ISFET shows the temperature coefficient of -3.7 mV/oC at constant drain-source voltage VDS = 300 mV. In the same temperature range, the sensitivity of p-n junction diode, applied with constant current ID = 200 A, is 59 mV/oC

บรรณานุกรม :
ชาญเดช หรูอนันต์ , วิน บรรจงปรุ , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , Charndet Hruanun , Win Bunjongpru , Wutthinan Jeamsaksiri , Awirut Srisuwan , Opas Trithaveesak , Amporn Poyai . (2550). ศึกษาการใช้ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็นร่วมกับอุปกรณ์ ISFET สำหรับตรวจวัดอุณหภูมิ และการวัดค่า pH.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
ชาญเดช หรูอนันต์ , วิน บรรจงปรุ , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , Charndet Hruanun , Win Bunjongpru , Wutthinan Jeamsaksiri , Awirut Srisuwan , Opas Trithaveesak , Amporn Poyai . 2550. "ศึกษาการใช้ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็นร่วมกับอุปกรณ์ ISFET สำหรับตรวจวัดอุณหภูมิ และการวัดค่า pH".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
ชาญเดช หรูอนันต์ , วิน บรรจงปรุ , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , Charndet Hruanun , Win Bunjongpru , Wutthinan Jeamsaksiri , Awirut Srisuwan , Opas Trithaveesak , Amporn Poyai . "ศึกษาการใช้ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็นร่วมกับอุปกรณ์ ISFET สำหรับตรวจวัดอุณหภูมิ และการวัดค่า pH."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2550. Print.
ชาญเดช หรูอนันต์ , วิน บรรจงปรุ , วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ , อวิรุทธิ์ ศรีสุวรรณ์ , อัมพร โพธิ์ใย , โอภาส ตรีทวีศักดิ์ , Charndet Hruanun , Win Bunjongpru , Wutthinan Jeamsaksiri , Awirut Srisuwan , Opas Trithaveesak , Amporn Poyai . ศึกษาการใช้ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็นร่วมกับอุปกรณ์ ISFET สำหรับตรวจวัดอุณหภูมิ และการวัดค่า pH. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2550.