ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การสร้างเกตออกไซด์สําหรับกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การสร้างเกตออกไซด์สําหรับกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร
นักวิจัย : ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์
คำค้น : ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , อัตราการจ่ายก๊าซ , อัตราการระบายก๊าซ , เปอร์เซ็นต์ความสมํ่าเสมอ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/10678
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

รายงานฉบับนี้นําเสนอการสร้างซิลิคอนไดออกไซด์สําหรับเป็นฉนวนระหว่าง เกต กับ ซอส-เดรน (gate oxide) ในกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร ทําการทดลองสร้างซิลิคอนไดออกไซด์ด้วยวิธีการออกซิเดชั่นแบบแห้ง โดยเปลี่ยนแปลงอัตราการจ่ายก๊าซออกซิเจน (O2 flow gas), อัตราการระบายก๊าซ (exhaust) และอุณหภูมิ (temperature) เพื่อเปรียบเทียบเปอร์เซ็นต์ความสมํ่าเสมอ (uniformity) ของซิลิคอนไดออกไซด์ที่เกิดขึ้น ซึ่งจากการทดลองวัดผลจากเครื่องอิลลิปโซมิเตอร์เป็นจำนวน 9 ตำแหน่ง พบว่าที่ระดับความหนา 15 นาโนเมตร ที่อุณหภูมิ 900 ˚C, อัตราการจ่ายก๊าซ 8 SLPM, อัตราการระบายก๊าซ 3.6 m/s ในเวลา 38 นาที สามารถทําให้เปอร์เซ็นต์ความสมํ่าเสมอมีค่า 0.9-1.1 % ซึ่งแสดงถึงความหนาที่เท่ากันทั้งแผ่นของซิลิคอนไดออกไซด์ โดยข้อมูลที่ได้จากการวิเคราะห์เป็นการพัฒนาเพื่อสูตรความสัมพันธ์ที่เหมาะสมสําหรับการสร้างชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ สําหรับเป็นฉนวนระหว่าง เกต กับ ซอส-เดรน (gate oxide) ในกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.5 ไมโครเมตรต่อไป This report presents the growth of silicon dioxide (SiO2) used for insulating between gate and source-drain (called gate oxide) in 0.8µm CMOS process. The silicon dioxide films were grown by dry oxidation varying O2 flow, exhaust and temperature. Film uniformities of silicon dioxide grown at different conditions were compared. From the 9-point thickness measurement by ellipsometer, the 15 nm silicon dioxide films can be obtained when grown at the temperature of 900 ˚C for 38 minutes, the O2 flow of 8 slpm and the exhaust of 3.6 m/s. This condition achieved good uniformity of 0.9-1.1%, which indicates that there was a small variation of the film thickness over the whole wafer. This condition data can be developed as a standard recipe for fabricating a gate oxide in 0.5µm CMOS process.

บรรณานุกรม :
ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ . (2550). การสร้างเกตออกไซด์สําหรับกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ . 2550. "การสร้างเกตออกไซด์สําหรับกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ . "การสร้างเกตออกไซด์สําหรับกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2550. Print.
ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ . การสร้างเกตออกไซด์สําหรับกระบวนการผลิต CMOS ระดับ 0.8 ไมโครเมตร. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2550.