เอกสารชุดนี้เป็นเอกสารประกอบการอบรมหลักสูตร Basic wafer Fabrication เนื้อหาจะประกอบด้วย

บทที่ 1 เป็นการแนะนำเทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ และความรู้เบื้องต้นสำหรับซีมอส (CMOS)
บทที่ 2 เป็นการกล่าวถึงการเตรียมธาตุซิลิกอน และการเตรียมแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ที่จะใช้ในการผลิตต่อไป
บทที่ 3 กล่าวถึงการควบคุมความสะอาดในบริเวณห้องสะอาด ซึ่งจะรวมถึงการการกำจัดถึงเจือปนที่ไม่ต้องการ
บทที่ 4 กระบวนการปลูกฟิล์มซิลิกอนไดออกไซด์ ในส่วนนี้ก็จะกล่าวถึงการสร้างออกไซด์โดยใช้ความร้อน
บทที่ 5 กระบวนการสร้างลวดลายด้วยแสง จะกล่าวถึงอุปกรณ์และเทคนิคที่ใช้
บทที่ 6 กระบวนการเจือสาร จะกล่าวถึงเทคนิคต่างๆในการเจือสาร เช่นกระบวนการแพร่ และกระบวนการฝังประจุ
บทที่ 7 กระบวนการสร้างฟล์มบาง ด้วยปฏิกิริยาไอเคมี เช่นการสร้างฟิล์มซิกอนไนไตน์
บทที่ 8 กระบวนการกัดลวดลาย ในส่วนนี้จะกล่าวถึงเทคนิคในการกัดแบบแห้ง และแบบเปียก
บทที่ 9 กระบวนการสร้างชั้นลวดลายโลหะ จะกล่าวถึงกระบวนการสร้างด้วยการทำให้เป็นไอ และการ สปัต
บทที่ 10 กระบวนการตรวจสอบคุณสมบัติของอุปกรณ์ เช่นการตรวจสอบชนิดและความหนาของฟิล์ม ความนำไฟฟ้าหลังการยิงฝังประจุ

Tuesday 11 November 2003

9.00-10.00 Semiconductor devices and IC formation (Video presentation) -Amporn
10.00-10.15 Coffee break
10.15-11.10 Introduction to microelectronics and MOSFET - Pavan
11.10-12.00 Silicon material and wafer preparations - Suwat
12.00-13.00 Lunch
13.00-14.00 Contamination control - Charndet
14.00-14.15 Coffee break
14.15-15.10 Oxidation process - Charndet
15.10-16.00 Photolithography process - Suwat


Wednesday 12 November 2003

9.00-10.00 Doping process - Suwat
10.00-10.15 Coffee break
10.15-11.10 Thin film deposition process - Charndet
11.10-12.00 Etching process - Pavan
12.00-13.00 Lunch
13.00-13.50 Metallization process - Pavan
13.50-14.05 Coffee break
14.05-15.00 Process and device evaluation - Amporn
15.00-15.40 Laboratory tour - Amporn
15.40-16.00 Closing and remark - All"