ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology
นักวิจัย : Chana Leepattarapongpan , Naritchapan Penpondee , Toempong Phetchakul , Weera Phengan , Ekalak Chaowicharat , Charndet Hruanun , Amporn Poyai , ชนะ ลีภัทรพงศ์พันธ์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , เติมพงษ์ เพ็ชรกูล , วีระ เพ็งจันทร์ , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , ชาญเดช หรูอนันต์ , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : CMOS and BiCMOS data conversion circuits , Electrical and electronic engineering , Engineering and technology , Implantation , Lorentz Force , magnetotransistor , การยิงฝังประจุ , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย , แมกนีโตทรานซิสเตอร์ , แรงลอเรนซ์
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/23962
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This article presents three-terminal magnetotransistors, fabricated using standard CMOS process technology, to detect magnetic field in both vertical (B[subscript z]) and lateral (B[subscript y]) directions. This work studied the effect of temperature and doping concentration to the quality of magnetotransistors. The structured employed an ion implantation tecnique to construct an emitter, collector, and base. Form the experience, the implantation dose was varied at 3x10[subperscript 15], 5x10[subperscript 15], and 1x10[subperscript 16 ions/cm[subperscript 2]. It was found that, at emitter current of 5 mA and implantation dose of 3x10[subperscript 15] ions/cm[subperscript 2], the sensitivity are 0.17 and 0.2 mV/mT for vertical and horizontal directions respectively. The devices can operate well up to 70 Degrees Celsius with the good linearity.

บทความนี้นำเสนอแมกนีโตทรานซิสเตอร์สามขาโดยใช้เทคโนโลยีในกระบวนการสร้างซีมอส โดยสามารถตรวจจับสนามแม่เหล็กได้ในทิศทางแนวดิ่ง (B[subscript z]) และแนวนอน (B[subscript y]) โดยทำการศึกษาผลของอุณหภูมิและความหนาแน่นอะตอมสารเจือที่เป็นผลต่อประสิทธิภาพการทำงานของแมกนีโตทรานซิสเตอร์ โครงสร้างประกอบด้วย อิมิตเตอร์ คอลเลคเตอร์และเบสที่ถูกสร้างโดยอาศัยเทคโนโลยีการยิงฝังประจุ จากผลการศึกษาทดลองที่ความหนาแน่นอะตอมสารเจือ 3x10[subperscript 15], 5x10[subperscript 15], และ 1x10[subperscript 16 ions/cm[subperscript 2] พบว่าที่กระแสอิมิตเตอร์ 5mA และความหนาแน่นอะตอมสารเจือ 3x10[subperscript 15] มีค่าความไวในการตรวจจับสนามแม่เหล็กแนวดิ่งและแนวนอนเท่ากับ 0.17 and 0.2 mV/mT ตามลำดับ โดยแมกนีโตทรานซิสเตอร์สามารถทำงานได้ถึงอุณหภูมิ 70 องศาเซลเซียส และมีความเป็นเชิงเส้นดี

บรรณานุกรม :