ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Simulated Studies of Well and Channel Engineering for 0.8 um Buried Channel PMOSFET

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Simulated Studies of Well and Channel Engineering for 0.8 um Buried Channel PMOSFET
นักวิจัย : Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : Circuits and Systems , CMOS , CMOS and BiCMOS data conversion circuits , Electrical and electronic engineering , Electronics , Engineering and technology , PMOS , ซีมอส , พีมอส , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2553
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/23914
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The simulated studies of well and channel engineering for 0.8 um buried channel PMOSFET (BC-PMOS) with conventional well profiles for phosphorus implants is presented. The channel design consists of a scaled down of a physical parameter such as channel design gate length, ion implantation for the threshold voltage adjust (VTA), the N-well formation with a various doping concentration done by N-well implantation dose. In this simulation study, we characterize the effect of channel modulation by engineering doping concentration profile, and determine how to enhance the performance of PMOS. The threshold voltage in linear and saturation region, sub threshold slope, off-state drain leakage current, saturation drain current and also the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) are investigated. Similarly, design gate scaled down to 0.4 um have been processed. To achieve the high performance of PMOS with the threshold voltage of -0.8 V for 5 V CMOS technology. The process parameter should be a conventional well with dose of 5x10 [superscript12] cm[superscript-2], VTA with dose of 8x10[superscript11] cm[superscript-2]. The simulation of subthreshold slope was 90 mV/decade, the DIBL is below 50 mV/V and the saturated drain current was 192 uA/um.

บทความนำเสนอการออกแบบของบ่อแยกและช่องทางเดินกระแสของพีมอสการสร้างบ่อแยกประกอบด้วยการยิงฝังประจุแบบตื้น แบบจำลองพารามิเตอร์ของอุปกรณ์ประกอบด้วยความยาวช่องทางเดินกระแส ค่าการยิงฝังประจุในช่องทางเดินกระแส การเปลี่ยนแปลงค่าความหนาแน่นของสารเจอในบ่อแยก ค่าคุณสมบัติทางไฟฟ้าเช่น ค่าแรงดันขีดเริ่ม ค่าความชันของค่ากระแสรั่วไหล ค่ากระแสอิ่มตัว ค่า DIBL จากผลการจำลองกระบวนการสร้างและอุปกรณ์ ที่ให้ผลทางไฟฟ้าที่ดีที่สุดที่ค่าแรงดันขีดเริ่ม 0.8 โวลต์ พบว่าการสร้างบ่อแยก ด้วยปริมาณโดส 5x10 (ยกกำลัง12) cm (ยกกำลัง-2), ค่าปริมาณโดส การยิงฝังประจุในช่องทางเดินกระแส เป็น 8x10 (ยกกำลัง11) cm (ยกกำลัง-2), ค่า DIBL น้อยกว่า 50 mV/V ค่า subthreshold slope 90 mV/decade และสุดท้ายค่ากระแสเดรนอิ่มตัวมีค่าเป็น 192 uA/um.

บรรณานุกรม :
Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . (2553). Simulated Studies of Well and Channel Engineering for 0.8 um Buried Channel PMOSFET.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . 2553. "Simulated Studies of Well and Channel Engineering for 0.8 um Buried Channel PMOSFET".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . "Simulated Studies of Well and Channel Engineering for 0.8 um Buried Channel PMOSFET."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2553. Print.
Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Nopphon Phongphanchanthra , Amporn Poyai , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นพพล พงษ์พันธุ์จันทรา , อัมพร โพธิ์ใย . Simulated Studies of Well and Channel Engineering for 0.8 um Buried Channel PMOSFET. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2553.