ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Extraction of mobility degradation, effective channel length and total series resistance of NMOS at elevated temperature

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Extraction of mobility degradation, effective channel length and total series resistance of NMOS at elevated temperature
นักวิจัย : Kunagone Kiddee , Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Narin Atiwongsangthong , Rangson Muanghlua , คุณากร คิดดี , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นรินทร์ อติวงศ์แสงทอง , รังสรรค์ เมืองเหลือ
คำค้น : Electrical resistance measurement , Electron mobility , Metal oxide semiconductor field-effect transistors , MOS devices , MOSFET , Resistance , Semiconductor device testing , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย , สารกึ่งตัวนำ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/23881
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This article describes the extraction of total series resistance, effective channel length and low field effective channel mobility degradation parameter at temperature in the range of 25"C-125 "C of NMOS device .The relation of Ins and VGS in a linear region was used with a different of channel length. The procedure is based on the measurement of the transconductance characteristics of MOSFET in the linear region. The transconductance characteristics is determine for the several devices of difference drawn channel length. The results shows that, the effective channel length is increased in a range of 5xlO-1o m/°C. The low field mobility degradation parameter is decreased by the factor of 0.733. The total series resistance is increased in the range of 1.4 Q-Ilm/"C. The errors between the predicted model and measured of Ins& VGS in linear region is approximately 3 %

บรรณานุกรม :
Kunagone Kiddee , Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Narin Atiwongsangthong , Rangson Muanghlua , คุณากร คิดดี , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นรินทร์ อติวงศ์แสงทอง , รังสรรค์ เมืองเหลือ . (2554). Extraction of mobility degradation, effective channel length and total series resistance of NMOS at elevated temperature.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Kunagone Kiddee , Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Narin Atiwongsangthong , Rangson Muanghlua , คุณากร คิดดี , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นรินทร์ อติวงศ์แสงทอง , รังสรรค์ เมืองเหลือ . 2554. "Extraction of mobility degradation, effective channel length and total series resistance of NMOS at elevated temperature".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Kunagone Kiddee , Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Narin Atiwongsangthong , Rangson Muanghlua , คุณากร คิดดี , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นรินทร์ อติวงศ์แสงทอง , รังสรรค์ เมืองเหลือ . "Extraction of mobility degradation, effective channel length and total series resistance of NMOS at elevated temperature."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2554. Print.
Kunagone Kiddee , Anucha Ruangphanit , Surasak Niemcharoen , Narin Atiwongsangthong , Rangson Muanghlua , คุณากร คิดดี , อนุชา เรืองพานิช , สุรศักดิ์ เนียมเจริญ , นรินทร์ อติวงศ์แสงทอง , รังสรรค์ เมืองเหลือ . Extraction of mobility degradation, effective channel length and total series resistance of NMOS at elevated temperature. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2554.