ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง
นักวิจัย : เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา
คำค้น : โกลว์ดิสชาร์จ , สปัตเตอริง (ฟิสิกส์) , ฟิล์มบาง , ความเครียดและความเค้น
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : สมพงศ์ ฉัตราภรณ์ , สมชาย เกียรติกมลชัย , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์
ปีพิมพ์ : 2545
อ้างอิง : 9741798539 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/10569
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545

ฟิล์มบางโมลิบดินัมบนกระจกโซดาไลม์ที่เตรียมโดยวิธีดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงเป็นฟิล์มที่ทำหน้าที่เป็นขั้วไฟฟ้าด้านหลังให้กับเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบางของสารประกอบคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์ สมบัติที่เหมาะสมของฟิล์มบางโมลิบดินัมที่ใช้ประดิษฐ์เซลล์แสงอาทิตย์คือฟิล์มที่มีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำ ความเค้นตกค้างภายในต่ำและสภาพการยึดติดสูงโดยเฉพาะอย่างยิ่งมีความทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ สมบัติของฟิล์มดังกล่าวสามารถควบคุมได้จากความดันแก๊สอาร์กอนที่ใช้ในการสปัตเตอร์ จากการทดลองเตรียมฟิล์มชนิดชั้นเดียวหนา 2,500 Å เมื่อสปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอนต่ำฟิล์มมีค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำ มีความเค้นตกค้างสูงทำให้สภาพการยึดติดของฟิล์มกับกระจกไม่ดี แต่เมื่อสปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอรสูง ฟิล์มมีค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าสูง มีความเค้นตกค้างต่ำทำให้สภาพการยึดติดของฟิล์มกับกระจกสูง โดยสปัตเตอร์ที่ความดันแก๊สอาร์กอนเท่ากับ 4x10[superscript -3] mbar เราพบว่าฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดเท่ากับ 2.12x10[superscript -5] omega cm ฟิล์มมีความเค้นตกค้างสูงซึ่งทำให้ฟิล์มมีสภาพการยึดติดต่ำที่สุดเท่ากับ 1765 kPa ทดสอบโดยวิธี pull-off สำหรับฟิล์มที่สปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอน 8x10[superscript -3] mbar มีสภาพต้านทานไฟฟ้าสูงสุดเท่ากับ 11.06x10[superscript -5] omega cm แต่ฟิล์มมีความเค้นตกค้างต่ำสุดซึ่งทำให้ฟิล์มมีสภาพการยึดติดมากกว่า 3447 kPa และไม่สามารถดึงฟิล์มให้หลุดจากกระจกได้ สำหรับฟิล์มชนิดสองชั้นเป็นการสปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอน 8x10[superscript -3] mbar เป็นชั้นแรกและสปัตเตอร์ต่อด้วยความดันแก๊สอาร์กอน 4x10[superscript -3] mbar จนฟิล์มหนา 2,500 Å จากการทดลองเมื่อความหนาของฟิล์มชั้นแรกเพิ่มขึ้นฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าสูงขึ้นแต่ความเค้นตกค้างภายในลดลงทำให้ฟิล์มมีสภาพการยึดติดสูง โดยที่ฟิล์มชั้นแรก สปัตเตอร์นาน 20 วินาที ฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดเท่ากับ 4.48x10[superscript -5] omega cm ความเค้นตกค้างภายในต่ำและมีสภาพการยึดติดสูงเท่ากับ 2971 kPa จากสภาวะดังกล่าวฟิล์มที่เหมาะสมสำหรับใช้งานเป็นฟิล์มชั้นเดียวที่เตรียมที่ความดันแก๊สอาร์กอน 5x10[superscript -3] mbar ฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าเท่ากับ 2.53x10[superscript -5] omega cm มีความเค้นตกค้างต่ำซึ่งทำให้สภาพการยึดติดสูงเท่ากับ 2337 kPa

บรรณานุกรม :
เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . (2545). การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . 2545. "การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . "การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545. Print.
เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2545.