ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การศึกษาเชิงทฤษฎีและเชิงคำนวณสมบัติของความบกพร่องและสารเจือในสารกึ่งตัวนำแถบช่องว่างพลังงานกว้าง

หน่วยงาน สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การศึกษาเชิงทฤษฎีและเชิงคำนวณสมบัติของความบกพร่องและสารเจือในสารกึ่งตัวนำแถบช่องว่างพลังงานกว้าง
นักวิจัย : ชูกิจ ลิมปิจำนงค์
คำค้น : theory , ZnO
หน่วยงาน : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : http://elibrary.trf.or.th/project_content.asp?PJID=BRG4880015 , http://research.trf.or.th/node/1945
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Abstract We have focused our attentions on wide gap oxide materials (especially ZnO) and diluted nitrides. We collaborate closely with forefront experimentalists and theorists in the USA, Europe and Asia, leading to numbers of high-quality joint publications in additional to publications that are produced solely within Thailand. We have significantly made progress in our proposed research and surpassed our original milestones in various topics. Out of a total of fifteen ISI publications, four are in the foremost physics journal – Physical Review Letters (JIF=7.07), and the other three are in the top applied physics journal – Applied Physics Letters (JIF=3.98). Important findings that we have accomplished include: a) in collaboration with Prof. Van de Walle’s group at UC Santa Barbara, we found the novel model of Si-N complex in GaAs in the form of split-interstitial which is different from what have been previously proposed by other computations. b) In collaboration with Prof. Min Zhou and his students at Georgia Tech (who perform large-scale molecular dynamics simulation) we predicts a new phases (HX and BCT-4) of ZnO nanowire under high tension. c) We explain the clustering of nitrogen in some samples of GaAs:N. The fact that N in GaAs can be clustered together is puzzling because calculations found it to cause a high strain and high energy. However, we found that H, which exists everywhere during growth, makes it more preferable for N to cluster together. d) We provide theoretical support to experimentalists at US Air Force Lab. Together, we have identified Zn-interstitial to be an important donor in ZnO. Zn interstitial can strongly passivate nitrogen acceptor, impeding the progress of p-ZnO research. e) We have developed an approach to simulate the x-ray absorption near edge structures and successfully used to identify impurity defects in semiconductors and ceramics Regarding the computer hardware development, we have successfully tested and built a state-of-the-art computation server containing 4-CPU in one case.

บรรณานุกรม :
ชูกิจ ลิมปิจำนงค์ . (2552). การศึกษาเชิงทฤษฎีและเชิงคำนวณสมบัติของความบกพร่องและสารเจือในสารกึ่งตัวนำแถบช่องว่างพลังงานกว้าง.
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย.
ชูกิจ ลิมปิจำนงค์ . 2552. "การศึกษาเชิงทฤษฎีและเชิงคำนวณสมบัติของความบกพร่องและสารเจือในสารกึ่งตัวนำแถบช่องว่างพลังงานกว้าง".
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย.
ชูกิจ ลิมปิจำนงค์ . "การศึกษาเชิงทฤษฎีและเชิงคำนวณสมบัติของความบกพร่องและสารเจือในสารกึ่งตัวนำแถบช่องว่างพลังงานกว้าง."
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย, 2552. Print.
ชูกิจ ลิมปิจำนงค์ . การศึกษาเชิงทฤษฎีและเชิงคำนวณสมบัติของความบกพร่องและสารเจือในสารกึ่งตัวนำแถบช่องว่างพลังงานกว้าง. กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย; 2552.