ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี
นักวิจัย : ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์
คำค้น : การนำไฟฟ้า , ฟิล์มบาง
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : สมพงศ์ ฉัตราภรณ์ , ขจรยศ อยู่ดี , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์
ปีพิมพ์ : 2543
อ้างอิง : 9743465383 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/4565
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2543

ได้เตรียมและศึกษากระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบาง CdS ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมีฟิล์มบาง CdS ที่เตรียมขึ้นอยู่ในรูปของโครงสร้าง Au/CdS/Au Au/CdS/ZnO(Al) Mo/CdS/Au Mo/CdS/ZnO(Al) Cu(In,Ga)Se2/CdS/Au และ Cu(In,Ga)Se2/CdS/ZnO(Al) ผลจากการวัดลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าที่อุณหภูมิห้องของโครงสร้างทั้ง 6 แบบดังกล่าวนี้ พบว่ากระบวนการการนำไฟฟ้าผ่านฟิล์มบาง CdS และรอยต่อที่เกี่ยวข้องของโครงสร้าง Au/CdS/Au Au/CdS/ZnO(A) และ Mo/CdS/Au มีรูปแบบการนำไฟฟ้าแบบโอห์มมิก สำหรับโครงสร้าง Mo/CdS/ZnO(Al) ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้ามีทั้งที่เป็นแบบโอห์มมิก (Non-Ohmic) สำหรับโครงสร้างCu(In,Ga)Se2/CdS/Au และ Cu(In,Ga)Se2/CdS/ZnO(Al) ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าเป็นแบบ Rectifying อย่างชัดเจนกล่าวคือโครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ทั้งสองแบบมีลักษณะเป็นไดโอด จากการวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะกระแสความต่างศักย์ไฟฟ้าของโครงสร้างทั้งหมด สามารถสรุปได้ว่ากระบวนการการนำไฟฟ้าผ่านฟิล์มบาง CdS ในแนวตั้งฉากกับฟิล์มเป็นการนำไฟฟ้าแบบโอห์มมิก การนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อ Au/CdS ก็เป็นแบบโอห์มมิกอย่างเด่นชัดเช่นเดียวกัน ในขณะที่การนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อ Mo/Cds และ CdS/ZnO(Al) เป็นแบบ Non-Ohmic และรอยต่อ Cu(In,Ga)Se2/CdS เป็นแบบ Rectifying ผลการวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าของทั้งสามโครงสร้างร่วมกัน สามารถนำมาเขียนลักษณะแถบพลังงานที่น่าจะเป็นไปได้สำหรับโครงสร้างที่ประกอบด้วยฟิล์มบางของ CdS และรอยต่อที่เกี่ยวข้อง กล่าวโดยสรุปค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มบาง CdS ที่วัดในแนวตั้งฉากมีค่าอยู่ในช่วง 10x10-10x10x10 (ohm-cm) และมีรูปแบบการนำไฟฟ้าแบบโอห์มมิก ในขณะที่ค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าที่วัดในแนวระนาบจะมีค่าประมาณ 10x10x10x10x10x10 (ohm-cm) สมบัติของฟิล์มบาง CdS ที่ได้จะขึ้นกับตัวแปรต่างๆ ที่ใช้ในขั้นตอนการเตรียมฟิล์มบางอย่างมาก

บรรณานุกรม :
ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์ . (2543). กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์ . 2543. "กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์ . "กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2543. Print.
ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์ . กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2543.