ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Influence of continuous and discontinuous depositions on properties of ITO films prepard by DC magnetron sputtering

หน่วยงาน สถาบันวิจัยและให้คำปรึกษาแห่ง มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Influence of continuous and discontinuous depositions on properties of ITO films prepard by DC magnetron sputtering
นักวิจัย : Kamon Aiempanakit , Pattana Rakkwamsuk , Supattanapong Dumrongrattana
คำค้น : Continuous deposition , DC magnetron sputtering , Discontinuous deposition , Target poisoning , ITO
หน่วยงาน : สถาบันวิจัยและให้คำปรึกษาแห่ง มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : Modern Physics letters B. 23,26 (2009) pp. 3157-3170 , 0217-9849 , http://dspace.library.tu.ac.th/handle/3517/4911
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Indium tin oxide (ITO) films were deposited on glass substrate without external heating by DC magnetron sputtering with continuous deposition of 800 s (S1) and discontinuous depositions of 400 s × 2 times (S2), 200 s × 4 times (S3) and 100 s × 8 times (S4). The structural, surface morphology, optical transmittance and electrical resistivity of ITO films were measured by X-ray diffraction, atomic force microscope, spectrophotometer and four-point probe, respectively. The deposition process of the S1 condition shows the highest target voltage due to more target poisoning occurrence. The substrate temperature of the S1 condition increases with the saturation curve of the RC charging circuit while other conditions increase and decrease due to deposition steps as DC power turns on and off. Target voltage and substrate temperature of ITO films decrease when changing the deposition conditions from S1 to S2, S3 and S4, respectively. The preferential orientation of ITO films were changed from dominate (222) plane to (400) plane with the increasing number of deposition steps. The ITO film for the S4 condition shows the lowest electrical resistivity of 1.44 × 10-3 Ω·cm with the highest energy gap of 4.09 eV and the highest surface roughness of 3.43 nm. These results were discussed from the point of different oxygen occurring on the surface ITO target between the sputtering processes which affected the properties of ITO films. © 2009 World Scientific Publishing Company.

บรรณานุกรม :
Kamon Aiempanakit , Pattana Rakkwamsuk , Supattanapong Dumrongrattana . (2552). Influence of continuous and discontinuous depositions on properties of ITO films prepard by DC magnetron sputtering.
    กรุงเทพมหานคร : สถาบันวิจัยและให้คำปรึกษาแห่ง มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์ .
Kamon Aiempanakit , Pattana Rakkwamsuk , Supattanapong Dumrongrattana . 2552. "Influence of continuous and discontinuous depositions on properties of ITO films prepard by DC magnetron sputtering".
    กรุงเทพมหานคร : สถาบันวิจัยและให้คำปรึกษาแห่ง มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์ .
Kamon Aiempanakit , Pattana Rakkwamsuk , Supattanapong Dumrongrattana . "Influence of continuous and discontinuous depositions on properties of ITO films prepard by DC magnetron sputtering."
    กรุงเทพมหานคร : สถาบันวิจัยและให้คำปรึกษาแห่ง มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์ , 2552. Print.
Kamon Aiempanakit , Pattana Rakkwamsuk , Supattanapong Dumrongrattana . Influence of continuous and discontinuous depositions on properties of ITO films prepard by DC magnetron sputtering. กรุงเทพมหานคร : สถาบันวิจัยและให้คำปรึกษาแห่ง มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์ ; 2552.