ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย
นักวิจัย : ชุมพล อันตรเสน , บรรยง โตประเสริฐพงศ์
คำค้น : แกลเลียมอาร์เซไนด์ , สารกึ่งตัวนำ
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
ปีพิมพ์ : 2530
อ้างอิง : http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2264
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

ผิวสัมผัสโอห์มมิกสารประกอบกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ทั้งชนิด/นิเกิลทอง-เจอร์มาเนียม/แกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ (เอ็น) และทอง-สังกะสี / แกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ (พี) ได้ถูกสร้างขึ้นโดยพัฒนากระบวนการการสร้างที่เหมาะสม ทั้งนี้เนื่องจากผิวสัมผัสโอห์มมิกที่มีคุณภาพดีนั้นขึ้นอยู่กับชนิดและความหนาของโลหะที่เลือกใช้ เงื่อนไขในการฉาบผิวโลหะ วิธีการทางเคมีในการทำความสะอาดผิวแว่นผลึก เวลาและบรรยากาศที่ใช้ในการอบผิว เป็นต้น สำหรับค่าสภาพต้านทานผิวสัมผัสสามารถคำนวณวัดได้ด้วยวิธีของ Transmission Line ผลปรากฏว่าผิวสัมผัสโลหะกับสารประกอบกึ่งตัวนำมีลักษณะสมบัติกระแส-แรงดันเป็นเชิงเส้น และมีค่าสภาพต้านทานผิวสัมผัสประมาณ 3x10[ยกกำลัง-4] โอห์ม-ตารางเซนติเมตร นอกจากนี้ยังได้วิเคราะห์ถึงปฏิกิริยาระหว่างโลหะกับสารกึ่งตัวนำอย่างละเอียด โดยที่ทองจะเป็นโลหะหลักที่ทำปฏิกิริยาโดยตรงกับผิวแว่นผลึก เจอร์มาเนียมและสังกะสีเป็นโลหะสารเจือปนชนิดเอ็นและชนิดพีตามลำดับ ส่วนนิเกิลเป็นโลหะควบคุมปฏิกริยา จากภาพรวมของปฏิกิริยาที่เกิดขึ้น จึงได้เสนอรูปแบบของการเกิดชั้นที่มีความเข้มข้นของสารเจือปนสูงใต้ผิวสัมผัส ซึ่งมีส่วนทำให้เกิดกระบวนการ Field Emission เป็นผลให้ผิวสัมผัสโลหะ-สารกึ่งตัวนำมีคุณสมบัติโอห์มมิก สุดท้ายได้กล่าวถึงการประยุกต์ใช้งานกับสิ่งประดิษฐ์ทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้สารประกอบกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ทั้งชนิดเอ็นและพีเป็นวัสดุ เช่น ทรานซิสเตอร์เชนดไบโพลาร์ซึ่งมีหัวต่อเฮตเตอโรเป็นส่วนประกอบ เซมิคอนดัคเตอร์เลเซอร์ และเซลล์แสงอาทิตย์ เป็นต้น

บรรณานุกรม :
ชุมพล อันตรเสน , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ . (2530). การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ชุมพล อันตรเสน , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ . 2530. "การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ชุมพล อันตรเสน , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ . "การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2530. Print.
ชุมพล อันตรเสน , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ . การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2530.