ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack
นักวิจัย : Anand, M. J. , Ng, G. I. , Vicknesh, S. , Arulkumaran, Subramaniam , Ranjan, K.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electric power
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2556
อ้างอิง : Anand, M. J., Ng, G. I., Vicknesh, S., Arulkumaran, S., & Ranjan, K. (2013). Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack. Physica status solidi (c), 10(11), 1421-1425. , 1862-6351 , http://hdl.handle.net/10220/24127 , http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201300219
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Physica status solidi (c)
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We have studied the drain current dispersion characteristics of conventional AlGaN/GaN HEMTs and SiN/Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MISHEMT) fabricated on silicon substrate. The fabricated MISHEMT exhibited an IDmaxof >1000 mA/mm and gmmax of 241 mS/mm. Compared to conventional AlGaN/GaN HEMTs, about an order of magnitude lower gate leakage current and a ∼ 60% reduction in drain current (ID) collapse was observed in the MISHEMTs. The observation of low ID collapse is due to the occurrence of low interface state density (6.39 × 1010 eV-1 cm-2) between the bilayer dielectric (SiN/Al2O3) and GaN surface which is confirmed through the AC-conductance method.

บรรณานุกรม :
Anand, M. J. , Ng, G. I. , Vicknesh, S. , Arulkumaran, Subramaniam , Ranjan, K. . (2556). Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Anand, M. J. , Ng, G. I. , Vicknesh, S. , Arulkumaran, Subramaniam , Ranjan, K. . 2556. "Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Anand, M. J. , Ng, G. I. , Vicknesh, S. , Arulkumaran, Subramaniam , Ranjan, K. . "Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print.
Anand, M. J. , Ng, G. I. , Vicknesh, S. , Arulkumaran, Subramaniam , Ranjan, K. . Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.