ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Laser processing of Ga2O3 micro and nanostructures

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Laser processing of Ga2O3 micro and nanostructures
นักวิจัย : Lam, Jenny Hwee Ming
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Nanostructured materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : Lam, J. H. M. (2007). Laser processing of Ga2O3 micro and nanostructures. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/35972
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A novel synthesis route has been developed for the growth of monoclinic Ga2C>3 nanoparticles, nanoclusters and nanowires by pulsed laser ablation of GaN (99.99 percent purity), using pulsed KrF excimer laser (k = 248 nm). Room-temperature synthesis of Ga2C>3 nanoparticles and nanoclusters was carried out in N2 or O2 gas ambient. The effects of laser fluence, deposition pressure, deposition ambient on the size, shape, degree of aggregation and crystallinity of the as-deposited products were studied accordingly. Transmission electron microscopy (TEM) results revealed an aggregation of Ga2C>3 nanoparticles that proceeds one-dimensionally to form chainlike nanostructures.

203 p.

บรรณานุกรม :
Lam, Jenny Hwee Ming . (2550). Laser processing of Ga2O3 micro and nanostructures.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lam, Jenny Hwee Ming . 2550. "Laser processing of Ga2O3 micro and nanostructures".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lam, Jenny Hwee Ming . "Laser processing of Ga2O3 micro and nanostructures."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print.
Lam, Jenny Hwee Ming . Laser processing of Ga2O3 micro and nanostructures. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.