ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films
นักวิจัย : Ee, Elden Yong Chiang
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Plasma treatment
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Ee, E. Y. C. (2006). Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/35963
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In the sub-quarter-micron generation integrated circuits (ICs), Cu has completely replaced aluminum as the interconnect material due to its favorable electrical conductivity (1.67 uQ»cm) and resistance to electromigration. In order to prevent Cu contamination in the silicon device layer, diffusion barriers such as tantalum (Ta) and tantalum nitride (TaN) have to be used to fully contain the Cu interconnects. It is a challenging issue to develop a new generation of more effective diffusion barriers with further down-scaling of transistor dimensions.

216 p.

บรรณานุกรม :
Ee, Elden Yong Chiang . (2549). Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ee, Elden Yong Chiang . 2549. "Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ee, Elden Yong Chiang . "Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Ee, Elden Yong Chiang . Plasma assisted deposition of Ti-Si-N and Ti-Si-N-O diffusion barrier films. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.