ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs.
นักวิจัย : Chin, Yoke King.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2553
อ้างอิง : Chin, Y. K. (2010). Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/53206
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Silicon nanowire with Gate-All-Around architecture is considered as one of the most promising candidates for CMOS scaling beyond 11 nm technology node due to its superior gate to channel electrostatic control. However, due to the one dimensional nature of nanowire, the resistance at the nanowire source/drain (S/D) extension is inherently high. Nickel silicide (NiSi) Schottky S/D is introduced to address this issue. 2 potential challenges associated with NiSi Schottky S/D are: (1) rapid NiSi intrusion into the silicon nanowire channel during silicidation and (2) the existence of a Schottky barrier which leads to increased contact resistance.

บรรณานุกรม :
Chin, Yoke King. . (2553). Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Chin, Yoke King. . 2553. "Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Chin, Yoke King. . "Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2553. Print.
Chin, Yoke King. . Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2553.