ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant.
นักวิจัย : Cheah, Weng Kwong.
คำค้น : -
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Cheah, W. K. (2006). Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/46872
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The work present in this thesis was initiated by the desire to design and fabricate a GaAs-based InGaAsN p-i-n photodetector operating at 1.3 µm, using solid source molecular beam epitaxy. III-V dilute nitrides such as the quaternary InGaAsN has attracted much attention due to its potential in optoelectronic device applications operating at the 1.3 and 1.55 µm wavelengths on the GaAs material system. These wavelengths are important for the next generation long-wavelength optical fiber communication systems. The conventional choices of active regions for lasers at these wavelengths are InGaAsP or InGaAs on InP substrates. However, these material systems exhibit poor temperature characteristics due to a shallow conduction band potential as compared to the III-V-N material system.

169 p.

บรรณานุกรม :
Cheah, Weng Kwong. . (2549). Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cheah, Weng Kwong. . 2549. "Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cheah, Weng Kwong. . "Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Cheah, Weng Kwong. . Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.