ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

InSbN based photodiodes for Fong wavelength infrared photodetection.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : InSbN based photodiodes for Fong wavelength infrared photodetection.
นักวิจัย : Wang, Yan.
คำค้น : -
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : Wang, Y. (2009). InSbN based photodiodes for Fong wavelength infrared photodetection. Master’s thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/46827
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

InSbN alloys arc a potential candidate for the long wavelength infrared detection. By adding only small amount of nitrogen to the binary InSb, the bandgap can be significantly reduced due to the band anticrossing effect. In this research, a thin layer of InSbi_xNx was fabricated by multiple-step nitrogen ion implantations into the InSb substrate materials. Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIiMS) was used to characterize the diffusion behavior of nitrogen atoms in the InSbN alloys. A migration of nitrogen towards the surface was observed which did not follow the Fick's second law.

109 p.

บรรณานุกรม :
Wang, Yan. . (2552). InSbN based photodiodes for Fong wavelength infrared photodetection..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Wang, Yan. . 2552. "InSbN based photodiodes for Fong wavelength infrared photodetection.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Wang, Yan. . "InSbN based photodiodes for Fong wavelength infrared photodetection.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2552. Print.
Wang, Yan. . InSbN based photodiodes for Fong wavelength infrared photodetection.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2552.