ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors.
นักวิจัย : Li, Hui.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic apparatus and materials.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Li, H. (2006). GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/4630
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this thesis, a (111) A-oriented GaAs/AlGaAs QWIP and an InGaAsP/InGaAsP/InGaAs step QWIP on InP substrate have been investigated.

บรรณานุกรม :
Li, Hui. . (2549). GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Li, Hui. . 2549. "GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Li, Hui. . "GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Li, Hui. . GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.