ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Carbon doped silicon oxides for low k dielectric applications in multilevel interconnects.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Carbon doped silicon oxides for low k dielectric applications in multilevel interconnects.
นักวิจัย : Liu, Bo.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electric apparatus and materials.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : Liu, B. (2008). Carbon doped silicon oxides for low k dielectric applications in multilevel interconnects. Master’s thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/4112
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This project aims at deposition and characterization of carbon doped silicon oxides (SiOCH) low k dieletrics for multilevel interconnect applications. The optical, electrical, mechanical, structural and thermal properties of SiOCH films have been studied.

บรรณานุกรม :
Liu, Bo. . (2551). Carbon doped silicon oxides for low k dielectric applications in multilevel interconnects..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, Bo. . 2551. "Carbon doped silicon oxides for low k dielectric applications in multilevel interconnects.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, Bo. . "Carbon doped silicon oxides for low k dielectric applications in multilevel interconnects.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2551. Print.
Liu, Bo. . Carbon doped silicon oxides for low k dielectric applications in multilevel interconnects.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2551.