ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

High-k hafnium oxide based thin films using laser molecular beam epitaxy for gate dielectrics.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : High-k hafnium oxide based thin films using laser molecular beam epitaxy for gate dielectrics.
นักวิจัย : Lu, Yuekang.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Integrated circuits.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Lu, Y. (2006). High-k hafnium oxide based thin films using laser molecular beam epitaxy for gate dielectrics. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/3502
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The constant increase in integrated circuit densities predicted by Moore’s law requires the continuous reduction of the CMOS device dimensions such as the gate length, gate oxide thickness, etc. Silicon dioxide (SiO2) has been used as the gate oxide and been aggressively scaled for more than 30 years. Nowadays in the state-of-the-art MOSFET, the gate oxide thickness is reduced to 1.2 nm. However, with the use of such thin SiO2,direct tunneling dominates the dielectric conduction which results in high leakage current and unacceptable power dissipations. In order to maintain the performance improvement trends, there are growing interests in the replacement of SiO2 with a high-k dielectric material.

บรรณานุกรม :
Lu, Yuekang. . (2549). High-k hafnium oxide based thin films using laser molecular beam epitaxy for gate dielectrics..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lu, Yuekang. . 2549. "High-k hafnium oxide based thin films using laser molecular beam epitaxy for gate dielectrics.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lu, Yuekang. . "High-k hafnium oxide based thin films using laser molecular beam epitaxy for gate dielectrics.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Lu, Yuekang. . High-k hafnium oxide based thin films using laser molecular beam epitaxy for gate dielectrics.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.