ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.
นักวิจัย : Tan, Shyue Seng.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electric apparatus and materials.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2548
อ้างอิง : Tan, S. S. (2005). Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/3384
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

It has been the intent of this work to investigate negative bias temperature instability of pMOSFET with ultra-thin gate dielectrics both theoretically and experimentally. Through experimental study, a comprehensive and quantitative study on the influence of nitrogen at the Si/SiOxNy interface on NBTI has been presented and several features regarding the nitrogen-enhanced are unveiled. Based on the findings established from experimental works, an atomic model of NBTI is developed using first-principles calculations. In the model, the possible origin of NBTI in both SiO2 and nitrided oxides are discussed.

บรรณานุกรม :
Tan, Shyue Seng. . (2548). Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, Shyue Seng. . 2548. "Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, Shyue Seng. . "Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print.
Tan, Shyue Seng. . Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.