ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition
นักวิจัย : Ye, Gang , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Li, Yang , Liu, Zhi Hong , Ang, Kian Siong
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2557
อ้างอิง : Ye, G., Wang, H., Arulkumaran, S., Ng, G. I., Li, Y., Liu, Z. H., et al. (2014). Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition. Applied Physics Letters, 105(2), 022106-. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/20376 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4890470
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The band alignment between Ga-face GaN and atomic-layer-deposited ZrO2 was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The dependence of Ga 3d and Zr 3d core-level positions on the take-off angles indicated upward band bending at GaN surface and potential gradient in ZrO2 layer. Based on angle-resolved XPS measurements combined with numerical calculations, valence band discontinuity ΔE V of 1 ± 0.2 eV and conduction band discontinuity ΔE C of 1.2 ± 0.2 eV at ZrO2/GaN interface were determined by taking GaN surface band bending and potential gradient in ZrO2 layer into account.

บรรณานุกรม :
Ye, Gang , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Li, Yang , Liu, Zhi Hong , Ang, Kian Siong . (2557). Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ye, Gang , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Li, Yang , Liu, Zhi Hong , Ang, Kian Siong . 2557. "Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ye, Gang , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Li, Yang , Liu, Zhi Hong , Ang, Kian Siong . "Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2557. Print.
Ye, Gang , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Li, Yang , Liu, Zhi Hong , Ang, Kian Siong . Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2557.