ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Analysis of correlated gate and drain random telegraph noise in post-soft breakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Analysis of correlated gate and drain random telegraph noise in post-soft breakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs
นักวิจัย : Liu, Wenhu , Padovani, Andrea , Larcher, Luca , Raghavan, Nagarajan , Pey, Kin Leong
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2557
อ้างอิง : Liu, W., Padovani, A., Larcher, L., Raghavan, N., & Pey, K. L. (2014). Analysis of Correlated Gate and Drain Random Telegraph Noise in Post-Soft BreakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 35(2), 157-159. , 0741-3106 , http://hdl.handle.net/10220/20244 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2013.2295923
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE Electron Device Letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We investigate correlated gate (IG) and drain (ID) random telegraph noise phenomena observed in post breakdown regime on nMOSFET TiN/HfLaO/ SiOx gate-stacks. We observe two different IG-ID correlation patterns (i.e., of the same and opposite polarities) that we attributed to charge trapping into oxygen vacancy traps of different kinds located in the SiOx close to the Si/SiOx interface. Results reported in this letter provide useful information for improving the understanding of IG/ID RTN phenomena and its impact on the reliability of post-SBD nanometer MOSFETs.

บรรณานุกรม :
Liu, Wenhu , Padovani, Andrea , Larcher, Luca , Raghavan, Nagarajan , Pey, Kin Leong . (2557). Analysis of correlated gate and drain random telegraph noise in post-soft breakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, Wenhu , Padovani, Andrea , Larcher, Luca , Raghavan, Nagarajan , Pey, Kin Leong . 2557. "Analysis of correlated gate and drain random telegraph noise in post-soft breakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, Wenhu , Padovani, Andrea , Larcher, Luca , Raghavan, Nagarajan , Pey, Kin Leong . "Analysis of correlated gate and drain random telegraph noise in post-soft breakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2557. Print.
Liu, Wenhu , Padovani, Andrea , Larcher, Luca , Raghavan, Nagarajan , Pey, Kin Leong . Analysis of correlated gate and drain random telegraph noise in post-soft breakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2557.