ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Study of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a silicon substrate

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Study of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a silicon substrate
นักวิจัย : Tan, K. H. , Loke, W. K. , Wicaksono, S. , Li, D. , Leong, Y. R. , Yoon, S. F. , Sharma, P. , Milakovich, T. , Bulsara, M. T. , Fitzgerald, E. A.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2557
อ้างอิง : Tan, K. H., Loke, W. K., Wicaksono, S., Li, D., Leong, Y. R., Yoon, S. F., et al. (2014). Study of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a silicon substrate. Applied Physics Letters, 104(10), 103906-. , http://hdl.handle.net/10220/19145 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4867082
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We report the performance of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a Si substrate with a SiGe graded buffer grown using molecular beam epitaxy. For comparison, the performance of a similar 1 eV GaN0.018As0.897 Sb 0.085 photovoltaic cell grown on a GaAs substrate was also reported. Both devices were in situ annealed at 700 °C for 5 min, and a significant performance improvement over our previous result was observed. The device on the GaAs substrate showed a low open circuit voltage (VOC) of 0.42 V and a short circuit current density (JSC) of 23.4 mA/cm2 while the device on the Si substrate showed a VOC of 0.39 V and a JSC of 21.3 mA/cm2. Both devices delivered a quantum efficiency of 50%–55% without any anti-reflection coating.

บรรณานุกรม :
Tan, K. H. , Loke, W. K. , Wicaksono, S. , Li, D. , Leong, Y. R. , Yoon, S. F. , Sharma, P. , Milakovich, T. , Bulsara, M. T. , Fitzgerald, E. A. . (2557). Study of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a silicon substrate.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, K. H. , Loke, W. K. , Wicaksono, S. , Li, D. , Leong, Y. R. , Yoon, S. F. , Sharma, P. , Milakovich, T. , Bulsara, M. T. , Fitzgerald, E. A. . 2557. "Study of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a silicon substrate".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, K. H. , Loke, W. K. , Wicaksono, S. , Li, D. , Leong, Y. R. , Yoon, S. F. , Sharma, P. , Milakovich, T. , Bulsara, M. T. , Fitzgerald, E. A. . "Study of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a silicon substrate."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2557. Print.
Tan, K. H. , Loke, W. K. , Wicaksono, S. , Li, D. , Leong, Y. R. , Yoon, S. F. , Sharma, P. , Milakovich, T. , Bulsara, M. T. , Fitzgerald, E. A. . Study of a 1 eV GaNAsSb photovoltaic cell grown on a silicon substrate. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2557.