ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon
นักวิจัย : Ye, G. , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Hofstetter, R. , Li, Y. , Anand, M. J. , Ang, K. S. , Bryan, Maung Ye Kyaw Thu , Foo, Siew Chuen
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2556
อ้างอิง : Ye, G., Wang, H., Arulkumaran, S., Ng, G. I., Hofstetter, R., Li, Y., et al. (2013). Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon. Applied physics letters, 103(14), 142109-. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/18429 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4824445
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this Letter, the device performance of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MISHEMTs) on silicon substrate using 10-nm-thick atomic-layer-deposited ZrO2 as gate dielectrics is reported. The ZrO2 AlGaN/GaN MISHEMTs showed improved maximum drain current density (I dmax) with high peak transconductance (g mmax) as comparison to Schottky-barrier-gate HEMTs (SB-HEMTs). Also compared to SB-HEMTs, reverse gate leakage current was four orders of magnitude lower and forward gate bias extended to +7.4 V. At energy from −0.29 eV to −0.36 eV, low interface trap state density evaluated by AC conductance and “Hi-Lo frequency” methods indicates good quality of atomic-layer-deposited ZrO2 dielectric layer.

บรรณานุกรม :
Ye, G. , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Hofstetter, R. , Li, Y. , Anand, M. J. , Ang, K. S. , Bryan, Maung Ye Kyaw Thu , Foo, Siew Chuen . (2556). Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ye, G. , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Hofstetter, R. , Li, Y. , Anand, M. J. , Ang, K. S. , Bryan, Maung Ye Kyaw Thu , Foo, Siew Chuen . 2556. "Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ye, G. , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Hofstetter, R. , Li, Y. , Anand, M. J. , Ang, K. S. , Bryan, Maung Ye Kyaw Thu , Foo, Siew Chuen . "Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print.
Ye, G. , Wang, Hong , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing , Hofstetter, R. , Li, Y. , Anand, M. J. , Ang, K. S. , Bryan, Maung Ye Kyaw Thu , Foo, Siew Chuen . Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.