ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
นักวิจัย : Bera, L. K. , Tham, W. H. , Kajen, R. S. , Dolmanan, S. B. , Kumar, M. Krishna , Lin, Vivian Kaixin , Ang, Diing Shenp , Bhat, T. N. , Yakovlev, N. , Tripathy, Sudhiranjan
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2556
อ้างอิง : Bera, L. K., Tham, W. H., Kajen, R. S., Dolmanan, S. B., Kumar, M. K., Lin, V. K. X., et al. (2013). Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator. ECS solid state letters, 2(12), Q105-Q108. , http://hdl.handle.net/10220/18382 , http://dx.doi.org/10.1149/2.002312ssl
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : ECS solid state letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this letter, the effect of Ge diffusion at the gate area of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on a thin silicon-on-insulator (SOI) substrate has been investigated. The pinch-off voltage shifted toward enhancement mode type operation behavior due to the Ge diffusion through the surface of the thin GaN cap layer. An anomalous hump observed in high frequency C-V plot is due to the electron confinement at the Ge-GaN/AlGaN interface. The threshold voltage reduces by 0.8 to 1.0 V after Ge diffusion. The drive current and the transconductance further reduced as compared to the control sample due to the parallel channel formation at the top Ge-GaN/AlxGa1-xN interfaces.

บรรณานุกรม :
Bera, L. K. , Tham, W. H. , Kajen, R. S. , Dolmanan, S. B. , Kumar, M. Krishna , Lin, Vivian Kaixin , Ang, Diing Shenp , Bhat, T. N. , Yakovlev, N. , Tripathy, Sudhiranjan . (2556). Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Bera, L. K. , Tham, W. H. , Kajen, R. S. , Dolmanan, S. B. , Kumar, M. Krishna , Lin, Vivian Kaixin , Ang, Diing Shenp , Bhat, T. N. , Yakovlev, N. , Tripathy, Sudhiranjan . 2556. "Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Bera, L. K. , Tham, W. H. , Kajen, R. S. , Dolmanan, S. B. , Kumar, M. Krishna , Lin, Vivian Kaixin , Ang, Diing Shenp , Bhat, T. N. , Yakovlev, N. , Tripathy, Sudhiranjan . "Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print.
Bera, L. K. , Tham, W. H. , Kajen, R. S. , Dolmanan, S. B. , Kumar, M. Krishna , Lin, Vivian Kaixin , Ang, Diing Shenp , Bhat, T. N. , Yakovlev, N. , Tripathy, Sudhiranjan . Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.