ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Tuning InAs quantum dots for high areal density and wideband emission

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Tuning InAs quantum dots for high areal density and wideband emission
นักวิจัย : Ngo, C. Y. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Chua, S. J.
คำค้น : -
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : Ngo, C. Y., Yoon, S. F., Fan, W., & Chua, S. J. (2007). Tuning InAs quantum dots for high areal density and wideband emission. Applied Physics Letters, 90(11), 113103. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/18130 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2713148
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The authors report the effect of growth temperature and monolayer coverage on areal density and photoluminescence spectral width of InAs quantum dot QD . Areal density and spectral width were found to be strongly dependent on growth temperature and monolayer coverage, respectively. Upon proper tuning, both high areal density and large photoluminescence spectral width were obtained. Areal density of 1.5 1011 cm−2 is four times higher than those previously reported, while spectral width of 136 nm is the broadest spectral width obtained without any forms of band gap engineering. These results will contribute to an improvement in the performance of QD superluminescent diode.

บรรณานุกรม :
Ngo, C. Y. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Chua, S. J. . (2550). Tuning InAs quantum dots for high areal density and wideband emission.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ngo, C. Y. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Chua, S. J. . 2550. "Tuning InAs quantum dots for high areal density and wideband emission".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ngo, C. Y. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Chua, S. J. . "Tuning InAs quantum dots for high areal density and wideband emission."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print.
Ngo, C. Y. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Chua, S. J. . Tuning InAs quantum dots for high areal density and wideband emission. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.