ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Improved performance of 1.3-μm multilayer P-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Improved performance of 1.3-μm multilayer P-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing
นักวิจัย : Cao, Qi , Tong, Cunzhu , Yoon, Soon Fatt , Liu, Chongyang , Ngo, Chun Yong
คำค้น : DRNTU::Science::Chemistry::Physical chemistry::Quantum chemistry.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : Cao, Q., Tong, C., Yoon, S. F., Liu, C., & Ngo, C. Y. (2012). Improved performance of 1.3-μm multilayer P-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing. IEEE transactions on nanotechnology, 11(2), 231-235. , http://hdl.handle.net/10220/16468 , http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2010.2068558
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE transactions on nanotechnology
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Significant improvements in the performance of p-doped ten-layer InAs/InGaAs quantum dot laser are demonstrated using rapid thermal annealing at 600 °C. The annealed laser shows about 2.7 times increase in the saturated output power and external differential quantum efficiency without obvious wavelength shift. Decrease in internal loss of 2.9 cm-1 and improvement in the threshold current by 23% are achieved. Defect reduction is thought to be the most likely mechanism contributing to the improved performance according to the electroluminescence and improved characteristic temperature behavior.

บรรณานุกรม :
Cao, Qi , Tong, Cunzhu , Yoon, Soon Fatt , Liu, Chongyang , Ngo, Chun Yong . (2555). Improved performance of 1.3-μm multilayer P-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cao, Qi , Tong, Cunzhu , Yoon, Soon Fatt , Liu, Chongyang , Ngo, Chun Yong . 2555. "Improved performance of 1.3-μm multilayer P-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cao, Qi , Tong, Cunzhu , Yoon, Soon Fatt , Liu, Chongyang , Ngo, Chun Yong . "Improved performance of 1.3-μm multilayer P-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Cao, Qi , Tong, Cunzhu , Yoon, Soon Fatt , Liu, Chongyang , Ngo, Chun Yong . Improved performance of 1.3-μm multilayer P-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.