ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

A 9.87 nW 1 kS/s 8.7 ENOB SAR ADC for implantable epileptic seizure detection microsystems

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : A 9.87 nW 1 kS/s 8.7 ENOB SAR ADC for implantable epileptic seizure detection microsystems
นักวิจัย : Do, Anh Tuan , Lam, Chun Kit , Tan, Yung Sern , Yeo, Kiat Seng , Cheong, Jia Hao , Yao, Lei , Tan, Meng Tong , Je, Minkyu
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : Do, A. T., Lam, C. K., Tan, Y. S., Yeo, K. S., Cheong, J. H., Yao, L., Tan, M. T., & Je, M. (2012). A 9.87 nW 1 kS/s 8.7 ENOB SAR ADC for implantable epileptic seizure detection microsystems. 2012 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS), pp.1-4. , http://hdl.handle.net/10220/16334 , http://dx.doi.org/10.1109/APCCAS.2012.6418956
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This paper presents an ultra low-power SAR ADC in 0.18 μm CMOS technology for epileptic seizure detection applications. The ADC is powered by a single supply voltage of both analog and digital circuits to avoid using the level-shifters. A latched comparator is used to quickly generate the comparison results while consuming no DC current. Split-cap architecture with an attenuation cap is used to minimize area and to further reduce the power consumption. A smaller-than-unit capacitor is used at the end of the least significant bit array to mitigate the negative impact of the parasitic components on the linearity of the capacitors array. As a result, both DNL/INL and SNDR of the ADC is improved. Our post-layout simulation shows that at 1 V supply, 1 kS/s the proposed SAR archives 8.7 ENOB while consuming only 9.87 nW. This yields an FOM of 23.7 fJ/conversion-step. Its leakage power consumption is 1.46 nW.

บรรณานุกรม :
Do, Anh Tuan , Lam, Chun Kit , Tan, Yung Sern , Yeo, Kiat Seng , Cheong, Jia Hao , Yao, Lei , Tan, Meng Tong , Je, Minkyu . (2555). A 9.87 nW 1 kS/s 8.7 ENOB SAR ADC for implantable epileptic seizure detection microsystems.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Do, Anh Tuan , Lam, Chun Kit , Tan, Yung Sern , Yeo, Kiat Seng , Cheong, Jia Hao , Yao, Lei , Tan, Meng Tong , Je, Minkyu . 2555. "A 9.87 nW 1 kS/s 8.7 ENOB SAR ADC for implantable epileptic seizure detection microsystems".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Do, Anh Tuan , Lam, Chun Kit , Tan, Yung Sern , Yeo, Kiat Seng , Cheong, Jia Hao , Yao, Lei , Tan, Meng Tong , Je, Minkyu . "A 9.87 nW 1 kS/s 8.7 ENOB SAR ADC for implantable epileptic seizure detection microsystems."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Do, Anh Tuan , Lam, Chun Kit , Tan, Yung Sern , Yeo, Kiat Seng , Cheong, Jia Hao , Yao, Lei , Tan, Meng Tong , Je, Minkyu . A 9.87 nW 1 kS/s 8.7 ENOB SAR ADC for implantable epileptic seizure detection microsystems. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.